"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прямой и обратный ток p-n-структур на основе 6 H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
Стрельчук А.М.1, Евстропов В.В.1, Дмитриев В.А.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Представлены токовые характеристики (вольт-амперные и релаксационные) p-n-структур на основе 6H-SiC, изготовленных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией. Исследования вольт-амперных характеристик проведены в диапазоне температур 300--800 K и плотностей тока 10-6-5· 102 А/см2. Показано, что прямой ток соответствует термоинжекционным моделям. Температурная зависимость остаточного сопротивления такая же, как для удельного сопротивления n-SiC. Напряженности электрического поля при пробое равны (2-6)· 106 В/см. Обратные допробойные токи в целом не имеют термоактивационного характера. Время жизни, определенное из переходных характеристик, составляет 20--30 нс.
  1. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 238 (1985)
  2. V.A. Dmitriev. Physica B, 185, 440 (1993)
  3. V.A. Dmitriev, M.E. Levinshtein, S.N. Vainshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett. 24, 1031 (1988)
  4. В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 23, 39 (1989)
  5. В.А. Дмитриев, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, 16, 50 (1990)
  6. V.A. Dmitriev, P.A. Ivanov, Ya.V. Morozenko, V.E. Chelnokov, A.E. Cherenkov. \it Proc. Int. Conf. the Applications of Diamond Films and Related Materials (Auburn, USA, August 1991, Elsevier Science Publishers B.V., 1991), p. 769
  7. M.M.Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, V.A. Soloviev, A.M. Strel'chuk. Springer Proc. in Physics, 56, 269 (1992)
  8. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, 25, 479 (1991)
  9. М.М. Аникин, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. ФТП, 28, 284 (1994)
  10. М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
  11. М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  12. Б.С. Кондратьев, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, М.Л. Тиранов. ФТП, 24, 647 (1990)
  13. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, Ю.В. Мельник, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. \it Тез. докл. Всес. науч.-техн. конф. "Перспективы развития технологического оборудования, новых материалов и технологических процессов ...", сентябрь 1985, Белая Церковь, (М., 1985) с. 54
  14. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 773 (1986)
  15. V.A. Dmitriev, A.E. Cherenkov. J. Cryst. Growth, 128, 343 (1993)
  16. И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
  17. В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
  18. М.М. Аникин, В.В. Естропов, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 647 (1989)
  19. S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  20. M. Gershunzon, R.A. Logan, D.F. Nelson. Phys. Rev., 149, 580 (1966)
  21. D.L. Barret, R.B. Campbell. J. Appl. Phys. 38, 53 (1967)
  22. А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  23. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. In.: \it Semiconductor Interfaces and microstructures, ed. by Z.C. Feng (World Scientific, Singapore, 1992), p. 280
  24. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, 22, 298 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.