Пространственное упорядочение кластеров мышьяка в слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Лубышев Д.И.1, Преображенский В.В.1, Семягин Б.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.
Показано, что путем дельта-легирования индием в пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200oC) температуре, можно сформировать двумерные слои наноразмерных кластеров мышьяка, разделенные матрицей GaAs, не содержащей кластеров. Пространственно упорядоченные кластерные структуры были получены в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных донорами Si, акцепторами Be, а также не легированных электрически активными примесями.
- F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron Dev. Lett., 9, 77 (1988)
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsang, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
- M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
- M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61, 177 (1992)
- T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
