"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственное упорядочение кластеров мышьяка в слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Лубышев Д.И.1, Преображенский В.В.1, Семягин Б.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

Показано, что путем дельта-легирования индием в пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200oC) температуре, можно сформировать двумерные слои наноразмерных кластеров мышьяка, разделенные матрицей GaAs, не содержащей кластеров. Пространственно упорядоченные кластерные структуры были получены в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных донорами Si, акцепторами Be, а также не легированных электрически активными примесями.
  1. F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  2. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsang, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  3. M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  4. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  5. M.R. Melloch, N. Otsuka, K. Mahalingam, C.L. Chang, P.D. Kirchner, J.M. Woodall, A.C. Warren. Appl. Phys. Lett., 61, 177 (1992)
  6. T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.