Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинация неравновесных носителей в треках тяжелых ионов в Si¹

Еремин В.К.¹, Ильяшенко И.Н.¹, Строкан Н.Б.¹, Шмидт Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Взаимодействие ядерных излучений с полупроводниками, как правило, исследуется рездельно в двух аспектах. Во-первых, рассматривается проявление возникающих дефектов структуры в деградации электрофизических свойств. Во-вторых, изучается поведение заряда неравновесных носителей, что практически важно для полупроводниковых детекторов. В работе на примере Si показано, что при облучении осколками деления ²⁵²Cf (''тяжелыми ионами'') возникающие первичные дефекты структуры и неравновесные электроны и дырки необходимо рассматривать как единую систему. Взаимодействие дефектов и носителей заряда определяет как рекомбинацию носителей, так и самих первичных пар Френкеля. Для доли прорекомбинировавших носителей это приводит к новой (логарифмической) зависимости от напряженности электрического поля в детекторе вместо гиперболического закона для случая alpha-частиц (''легких ионов'').

\commes \badraggedbottom
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, У.Ш. Туребеков. ПТЭ, вып. 6, 64 (1990)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, И. Борани, Б. Шмидт. ПТЭ, вып. 3, 56 (1991)
E. Verbitskaya, V. Eremin, N. Strokan, J. Kemmer, B. Schmidt, J. von Borani. Nucl. Instrum. Meth. B, 84, 51 (1994)
Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Маляренко, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, И. Борани, Б. Шмидт. ФТП, 27, 2052 (1993)
В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ 13-11889 (Дубна, 1978)
В.Ф. Кушнирук. Препринт ОИЯИ P13-11933 (Дубна, 1978)
E.C. Finch, M. Asghar, M. Forte, Nucl. Instr. Meth., 163, 467 (1979)
W. Seibt, K.E. Sundstrom, P.A. Tove. Nucl. Instrum. Meth., 113, 317 (1973)
W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. In: \it Nonradiative revombination in Semiconductors (Amsterdam, 1991) p. 320
E. Vablonovich, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett. 49, 587 (1986)
Л.А. Делимова. ФТП, 15, 1349 (1992)
\it Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F.Ziegler. (Acad. Press. Inc., 1984). p. 635
В.К. Еремин, С.Г. Даненгирш, Н.Б. Строкан, Н.И. Тиснек. ФТП, 8, 556 (1974)
В.В. Емцев, Т.В.Машовец, В.В. Михневич. ФТП, 26, 22 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель