Вышедшие номера
К вопросу о вольт-амперной характеристике гетероструктуры на основе неупорядоченного селенида цинка
Беляев А.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Рассмотрена вольт-амперная характеристика гетероструктуры на основе неупорядоченного полупроводника типа In2O3-ZnSe-In, обладающей асимметрией проводимости. Исследуется случай, когда составляющая внешнего электрического поля внутри полупроводника постоянна на всей толщине слоя. Анализируется положение границы, отделяющей локализованные состояния от делокализованных. Рассматриваются процессы токопереноса по этой границе. Получено аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики, предполагающее в зависимости от внешнего смещения линейную, сублинейную и суперлинейную связь между током и напряжением. Показана возможность на основе экспериментальной вольт-амперной характеристики оценки амплитуды неоднородности случайного потенциала. Проводится сравнение вольт-амперных характеристик, полученной в работе и экспериментальной для гетероструктуры In2O3-ZnSe-In.