Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесценция локализованных электронно-дырочных пар в области фундаментального поглощения структур Zn(S,Se)--(Zn,Cd)Se с квантовыми ямами

Леденцов Н.Н.¹, Иванов С.В.¹, Максимов В.М.¹, Седова И.В.¹, Табатадзе И.Г.¹, Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 июня 1993 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

PDF версия

Мы обнаружили интенсивную люминесценцию при энергиях выше края экситонного поглощения в структурах Zn(S,Se)-(Zn,Cd)Se с квантовыми ямами. Люминесценция обусловлена локализацией электронно-дырочных пар на флуктуациях стенок квантовых ям. Спектры возбуждения люминесценции имеют выраженные осцилляции с периодом, соответствующим энергии LO-фонона в Zn(S,Se), что свидетельствует об энергетической релаксации электронно-дырочных пар по механизму горячих экситонов. Указанный механизм релаксации в данном случае обусловлен пространственной локализацией возникающих электронно-дырочных пар, а их кулоновское взаимодействие играет второстепенную роль. Замедленная термализация неравновесных носителей в основное состояние экситона также может быть объяснена их пространственной локализацией.

C. Weisbuch. Sol. St. Electron., 21, 179 (1978)
П.С. Копьев, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко. Письма ЖЭТФ, 51, 624 (1988)
N.N. Ledentsov, R. Notzel, P.S. Kop'ev, K. Ploog. Appl. Phys. A, 55, 533 (1992)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 68, 3812 (1991)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B, 45, 3507 (1992)
R. Notzel, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Phys. Rev. B, 47, 1299 (1993)
S. Permogorov. Phys. St. Sol. (b), 68, 9 (1975)
R.P. Stanley, J. Hegarty, R. Fischer, J. Feldmann, E.O. Gobel, R.D. Feldman, R.F. Austin. Phys. Rev. Lett., 67, 128 (1991)
П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов. ФТП, 22, 1729 (1988)
T. Takagahara. Phys. Rev. B, 31, 6552 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель