"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкотемпературная диффузия кислорода и образование термодоноров в кремнии, легированном изовалентной примесью германия
Бабич В.М.1, Баран Н.П.1, Зотов К.И.1, Кирица В.Л.1, Ковальчук В.Б.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

При изучении низкотемпературной (T<500oC) диффузии межузельного кислорода с использованием наведенного давлением дихроизма инфракрасной полосы на 1106 см-1 в кристаллах Si, легированных Ge в интервале концентраций 1018-2· 1020 см-3, в сопоставлении с кинетикой образования термодоноров показано, что примесь Ge влияет опосредствованно через поля локальных упругих напряжений как на процессы диффузии кислорода (проявляется увеличенная компонента диффузии Oi), так и на процессы генерации и аннигиляции собственных точечных дефектов --- вакансий (V) и межузельных атомов (Sii). В частности, затрудненным процессом генерации Sii и, наоборот, облегченным процессом их аннигиляции при наличии примеси Ge объяснено замедление кинетики образования термодоноров с ростом концентрации Ge в кристаллах Si.
  1. W. Kaiser, H.L. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
  2. B. Pajot, H. Compain, J. Leroueille, B. Clerjaud. Physica B+C, 117--118, 110 (1983)
  3. A. Kanamori, M. Kanamori. Appl. Phys., 50, 8095 (1979)
  4. В.М. Бабич, Ю.П. Доценко, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук, М.Я. Скороход. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 193 (1988)
  5. В.М. Бабич, Н.П. Баран, Ю.П. Доценко, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук. УФЖ, 33, 593 (1988)
  6. P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11612 (1992)
  7. Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский. ФТП, 17, 2022 (1983)
  8. J.W. Corbett, R.C. McDonald, J.D. Watkins. Phys. Chem. Sol., 25, 873 (1964)
  9. A.K. Tipping, R.C. Newman, D.C. Newton, J.H. Tucker. In: \it Defects in Semiconductors, ed. by H.J. Bardeleben [Mater. Sci. Forum, 10--12, 887 (1986)]
  10. В.М. Бабич, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук. \it Тез. докл. 12 Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990) ч. 1, 268
  11. G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.S. McDonald. J. Appl. Phys., 53, 7097 (1982)
  12. J.L. Benton, L.C. Kimerling, M. Stavola. Physica B+C, 16, 271 (1983)
  13. F. Livingston, S. Messoloras, R.C. Newman, B.C. Pike, R.J. Stewart, M.J. Binns, W.P. Brown, J.G. Wilkes. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., 17, 6253 (1984)
  14. В.М. Бабич, Н.П. Баран, Н.И. Блецкан, К.И. Зотов. УФЖ, 34, 730 (1989)
  15. V.M. Babich, M.Ya. Walakh, V.B. Kovalchuk, G.Yu. Rudko, N.I. Shakhraychuk. Phys. St. Sol.(a), 117, K185 (1990)
  16. Ю.М. Бабицкий, Н.И. Горбачева, П.М. Гринштейн, М.А. Ильин, В.П. Кузнецов, М.Г. Мильвидский, Б.М. Туровский. ФТП, 22, 303 (1988)
  17. Д.И. Бринкевич, Н.И. Горбачева, И.И. Колковский, В.В. Петров, В.В. Шуша. Неорг. матер., 28, 480 (1992)
  18. Д.Н. Корляков. Неорг. матер., 27, 1333 (1991)
  19. Д.И. Бринкевич, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.В. Петров. ФТП, 26, 682 (1992)
  20. J.L. Benton, L.C. Kimerling, M. Stavola. Physica B, 116, 271 (1983)
  21. L. Jastrebski, P. Zanzucchi, D. Thebault, J. Lagowski. J. Electrochem. Soc., 129, 1638 (1982)
  22. М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, Е.В. Соловьева. \it Проблемы кристаллографии (М., 1987)
  23. D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 51, 904 (1987)
  24. Ю.М. Бабицкий, Н.И. Горбачева, П.М. Гринштейн, П.М. Ильин, М.Г. Мильвидский, Б.М. Туровский. ФТП, 18, 1309 (1984)
  25. R.C. Newman, A.S. Oates, F.M. Livingstin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, L1667 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.