"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературная диффузия кислорода и образование термодоноров в кремнии, легированном изовалентной примесью германия
Бабич В.М.1, Баран Н.П.1, Зотов К.И.1, Кирица В.Л.1, Ковальчук В.Б.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

При изучении низкотемпературной (T<500oC) диффузии межузельного кислорода с использованием наведенного давлением дихроизма инфракрасной полосы на 1106 см-1 в кристаллах Si, легированных Ge в интервале концентраций 1018-2· 1020 см-3, в сопоставлении с кинетикой образования термодоноров показано, что примесь Ge влияет опосредствованно через поля локальных упругих напряжений как на процессы диффузии кислорода (проявляется увеличенная компонента диффузии Oi), так и на процессы генерации и аннигиляции собственных точечных дефектов --- вакансий (V) и межузельных атомов (Sii). В частности, затрудненным процессом генерации Sii и, наоборот, облегченным процессом их аннигиляции при наличии примеси Ge объяснено замедление кинетики образования термодоноров с ростом концентрации Ge в кристаллах Si.
  • W. Kaiser, H.L. Frisch, H. Reiss. Phys. Rev., 112, 1546 (1958)
  • B. Pajot, H. Compain, J. Leroueille, B. Clerjaud. Physica B+C, 117--118, 110 (1983)
  • A. Kanamori, M. Kanamori. Appl. Phys., 50, 8095 (1979)
  • В.М. Бабич, Ю.П. Доценко, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук, М.Я. Скороход. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 24, 193 (1988)
  • В.М. Бабич, Н.П. Баран, Ю.П. Доценко, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук. УФЖ, 33, 593 (1988)
  • P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11612 (1992)
  • Е.В. Соловьева, М.Г. Мильвидский. ФТП, 17, 2022 (1983)
  • J.W. Corbett, R.C. McDonald, J.D. Watkins. Phys. Chem. Sol., 25, 873 (1964)
  • A.K. Tipping, R.C. Newman, D.C. Newton, J.H. Tucker. In: \it Defects in Semiconductors, ed. by H.J. Bardeleben [Mater. Sci. Forum, 10--12, 887 (1986)]
  • В.М. Бабич, К.И. Зотов, В.Б. Ковальчук. \it Тез. докл. 12 Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990) ч. 1, 268
  • G.D. Watkins, J.W. Corbett, R.S. McDonald. J. Appl. Phys., 53, 7097 (1982)
  • J.L. Benton, L.C. Kimerling, M. Stavola. Physica B+C, 16, 271 (1983)
  • F. Livingston, S. Messoloras, R.C. Newman, B.C. Pike, R.J. Stewart, M.J. Binns, W.P. Brown, J.G. Wilkes. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., 17, 6253 (1984)
  • В.М. Бабич, Н.П. Баран, Н.И. Блецкан, К.И. Зотов. УФЖ, 34, 730 (1989)
  • V.M. Babich, M.Ya. Walakh, V.B. Kovalchuk, G.Yu. Rudko, N.I. Shakhraychuk. Phys. St. Sol.(a), 117, K185 (1990)
  • Ю.М. Бабицкий, Н.И. Горбачева, П.М. Гринштейн, М.А. Ильин, В.П. Кузнецов, М.Г. Мильвидский, Б.М. Туровский. ФТП, 22, 303 (1988)
  • Д.И. Бринкевич, Н.И. Горбачева, И.И. Колковский, В.В. Петров, В.В. Шуша. Неорг. матер., 28, 480 (1992)
  • Д.Н. Корляков. Неорг. матер., 27, 1333 (1991)
  • Д.И. Бринкевич, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, В.В. Петров. ФТП, 26, 682 (1992)
  • J.L. Benton, L.C. Kimerling, M. Stavola. Physica B, 116, 271 (1983)
  • L. Jastrebski, P. Zanzucchi, D. Thebault, J. Lagowski. J. Electrochem. Soc., 129, 1638 (1982)
  • М.Г. Мильвидский, Н.С. Рытова, Е.В. Соловьева. \it Проблемы кристаллографии (М., 1987)
  • D. Mathiot. Appl. Phys. Lett., 51, 904 (1987)
  • Ю.М. Бабицкий, Н.И. Горбачева, П.М. Гринштейн, П.М. Ильин, М.Г. Мильвидский, Б.М. Туровский. ФТП, 18, 1309 (1984)
  • R.C. Newman, A.S. Oates, F.M. Livingstin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 16, L1667 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.