"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэффект в эпитаксиальной p+- n-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел--металл
Барышев М.Г.1, Муравский Б.С.1, Черный В.Н.1, Яманов И.Л.1
1Кубанский государственный университет, Краснодар
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Исследовано влияние света на частоту колебаний, возникавших за счет явления поверхностно-барьерной неустойчивости тока в кремниевой эпитаксиальной p+-n-структуре с переменной толщиной n-области и контактом металл--туннельный окисел--полупроводник, при локальном освещении n-области лучом лазера. Установлено, что при определенном положении светового пятна на поверхности n-области частота колебаний достигает максимального значения. Показано, что эффект возникает в том случае, когда глубина поглощения света совпадает с глубиной залегания p+-n-перехода.
  1. Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Т.И. Фризен, В.Н. Черный. ФТП, 6, 2114 (1972)
  2. Б.С. Муравский, В.Н. Черный, И.Л. Яманов, А.Н. Потапов, М.А. Жужа. Микроэлектрон., 18, 304 (1989)
  3. Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  4. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.