"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Использование зона-зонной подсветки для определения параметров уровней в методе шумовой спектроскопии
Левинштейн М.Е.1, Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Проанализировано влияние зона-зонной подсветки на генерационно-рекомбинационный шум, обусловленный наличием локального уровня в запрещенной зоне полупроводника. Показано, что зона-зонная подсветка, создающая в объеме полупроводника подвижные неосновные носители, позволяет непосредственно судить о том, зависит ли сечение захвата носителей sigma от температуры экспоненциально (sigma=sigma0exp(E1/kT) ). В случае экспоненциальной зависимости сечения от температуры зона-зонная подсветка позволяет определить параметры уровня даже для случая, когда энергия активации E1 значительно больше, чем глубина залегания уровня E0. В этом случае (E1>> E0) обычные методы обработки данных шумовых измерений позволяют (без использования подсветки) определить только значение E1. Для предельных случаев, когда исследуемый уровень лежит значительно ниже уровня Ферми EF (E0-EF>> kT) или значительно выше (EF-E0>> kT), предложены простые аналитические выражения, описывающие влияние подсветки на уровень шума. Проделаны численные расчеты, подтверждающие справедливость полученных аналитических выражений.
  1. J.A. Copeland. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-18, 50 (1971)
  2. J. Magarshack, A. Mircea, A. Roussel. Acta Electron., 15, 233 (1972)
  3. З.Л. Шоблицкас, В.П. Паленскис. Лит. физ. сб., 35, 88 (1985)
  4. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 355 (1991)
  5. Н.Б. Лукьянчикова. Лит. физ. сб., 20, 25 (1980)
  6. J.R. Kirtley, T.N. Theis, P.M. Mooney, S.L. Wright. J. Appl. Phys., 63, 1541 (1986)
  7. D. Sodini, A. Touboul, G. Lecoy, M. Savelli. Electron. Lett., 12, 42 (1976)
  8. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Semicond. Sci. Techn. (1994) (в печати)
  9. F.J. Scholz, J.W. Roach. Sol. St. Electron., 35, 447 (1992)
  10. K. Kandiah. \it Proc. 8th Int. Conf. on "Noise in Phys. Syst" and 4th Int. Conf. on "1/f Noise" (Rome, 1985) p. 19
  11. D.C. Murray, A.G.R. Evans, J.C. Curter. IEEE Trans. Electron Dev., ED-38, 407 (1991)
  12. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 2065 (1991)
  13. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989)
  14. В.М. Ботнарюк, Ю.В. Жиляев, А.Г. Кечек, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, М.И. Шульга. Письма в ЖТФ, 14, 181 (1988)
  15. G.A. Acket, J.J. Scheer. Sol. St. Electron., 14, 167 (1971)
  16. М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. Письма в ЖТФ, 19, 55 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.