В известных работах Мотта по фазовому переходу диэлектрик-металл этот переход связывался с экранировкой кулоновского поля донора или акцептора свободными носителями заряда, и считалось, что его условием является выталкивание примесного уровня в зону проводимости. Оказывается, что фазовый переход диэлектрик-металл будет термодинамически устойчивым лишь в том случае, если произойдет достаточно сильное сужение запрещенной зоны полупроводника, обусловленное свободными носителями заряда. Было учтено два механизма сужения зоны - корреляционный (Дебая-Хюккеля) и обменный (Вигнера-Зейтца). Показано, что эти два механизма приводят к термодинамической устойчивости перехода диэлектрик-металл. Проведено сравнение теоретических значений с экспериментальными данными в случаях GaAs и InP. Проведен расчет энергии связи донора в GaAs при различных концентрациях электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.