"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности деградации полуизолирующего арсенида галлия при термообработках
Айбазов И.Ф.1, Михрин С.Б.1, Саморуков Б.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Исследовано изменение при термообработке удельного сопротивления приповерхностного слоя в нелегированном высокоомном GaAs, выращенном по методу Чохральского. Термообработка проводилась при температурах до 850o C в парах мышьяка при давлениях 0.1, 1.0, 5.0 атм. Результаты интерпретируются с привлечением собственных точечных дефектов V Ga и As Ga.
  1. M. Satoh, K. Yokoyama, K. Kuriama. \it Proc. 6 Conf. on Semi-Insulating materials (Toronto, 1990) p. 47
  2. N. Ohkubo, M. Shishikura, S. Matsumoto. J. Appl. Phys., 73, 615 (1993)
  3. Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.