"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A III 2B VI 3 (110)
Сысоев Б.И.1, Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Агапов Б.Л.1, Стрыгин В.Д.1
1Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

С использованием методов электронной микроскопии исследована поверхность арсенида галлия (100) после термической обработки в парах халькогенов. Анализ электронограмм, полученных в просвечивающей геометрии, позволил выявить эпитаксиальное соотношение подложки GaAs (100) и образующегося после обработки слоя халькогенида галлия AIII2BVI3 (110). Энергетический спектр электронных состояний вблизи поверхности GaAs (100) исследован методом изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней. Установлено, что поверхностные электронные состояния с энергией Ec-0.40 эВ отсутствуют в запрещенной зоне GaAs после обработки в парах халькогенов. Предложен механизм уменьшения плотности поверхностных электронных состояний в запрещенной зоне GaAs, основанный на реконструированной поверхности GaAs (100) в процессе гетеровалентного замещения мышьяка халькогенами с образованием тонкого псевдоморфного слоя AIII2BVI3 (110).
  1. L.J. Brillson. Comm. Cond. Matt. Phys., 14, 311 (1989)
  2. W. M\ddot onch. Rep. Progr. Phys., 53, 221 (1990)
  3. E. Yablonovich, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
  4. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., 53, 66 (1988)
  5. Y. Nannichi, H. Oigawa. \it Extended Abstracts 22nd Conf. Solid State Devices and Materials (Sendai, 1990) p. 453
  6. J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron, N.T. Linh. Appl. Phys, Lett., 38, 693 (1981)
  7. G.J. Hughes, L. Roberts, M.O. Henry, K. McGuigan et al. Mater. Sci. Eng. B, 9, 37 (1991)
  8. S.A. Chambers, V.S.Sundaram. Appl. Phys. Lett., 57, 2342 (1990)
  9. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
  10. F. Maeda, Y. Watanabe, T. Scimeca, M. Oshima. Phys. Rev. B, 48, 4956 (1993)
  11. Б.М. Колокольников, Ю.А. Капустин. В сб.:\it Электрическая релаксация и кинетические являения в твердых телах (С.-Петербург, 1992) с. 74
  12. Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И. Котов. Неорг. матер., 27, 1583 (1991)
  13. Б.И. Сысоев, А.В. Буданов, В.Д. Стрыгин. В сб.: \it Полупроводники и гетеропереходы (Таллинн, 1987) с. 32
  14. ASTM (Philadelphia, 1969)
  15. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. \it Поверхности и границы раздела полупроводников (М., 1990)
  16. Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., 1990)
  17. S.Y. Tong, G. Xu, W.Y. Hu, M.W. Puga. J. Vac. Sci. Technol. B, 3, 1076 (1985)
  18. K. Yamasaki, T. Sugano. Appl. Phys. Lett., 35, 932 (1979)
  19. H. Hasegawa, T. Sawada, T. Sakai. Surf. Sci., 16, 819 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.