Коэффициент неидеальности ВАХ p- n-перехода при разогреве носителей заряда и фононов
Гулямов Г.1, Умаров К.Б.1
1Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 19 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
Произведен расчет тока через p-n-переход с учетом разогрева носителей заряда и фононов. Получено аналитическое выражение для коэффициента неидеальности. Показано, что учет разогрева носителей тока и фононов за счет эффекта Пельте всегда приведет к коэффициенту неидеальности, отличной от единицы. Установлено, что размерные тепловые эффекты влияют на ВАХ и коэффициент неидеальности даже массивного p-n-перехода, причем в выпрямляющих структурах с потенциальным барьером размерные тепловые эффекты проявляются сильнее, чем в однородных образцах.
- Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
- C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., 1973)
- F. Berz. Sol. St. Electron., 16, 1067 (1973)
- А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
- Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 2001 (1992)
- С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас, Э.И. Ширмулис. ФТП, 19, 807 (1985)
- С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас. Лит. физ. сб., 20, 39 (1980)
- Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. \it Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., 1984)
- Г. Гулямов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 15, 1858 (1981)
- Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов. ФТП, 26, 1945 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук