"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициент неидеальности ВАХ p- n-перехода при разогреве носителей заряда и фононов
Гулямов Г.1, Умаров К.Б.1
1Наманганский индустриально-технологический институт,3, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 19 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Произведен расчет тока через p-n-переход с учетом разогрева носителей заряда и фононов. Получено аналитическое выражение для коэффициента неидеальности. Показано, что учет разогрева носителей тока и фононов за счет эффекта Пельте всегда приведет к коэффициенту неидеальности, отличной от единицы. Установлено, что размерные тепловые эффекты влияют на ВАХ и коэффициент неидеальности даже массивного p-n-перехода, причем в выпрямляющих структурах с потенциальным барьером размерные тепловые эффекты проявляются сильнее, чем в однородных образцах.
  1. Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
  2. C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  3. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., 1973)
  4. F. Berz. Sol. St. Electron., 16, 1067 (1973)
  5. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  6. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  7. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 2001 (1992)
  8. С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас, Э.И. Ширмулис. ФТП, 19, 807 (1985)
  9. С.П. Ашмонтас, А.П. Олекас. Лит. физ. сб., 20, 39 (1980)
  10. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. \it Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., 1984)
  11. Г. Гулямов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 15, 1858 (1981)
  12. Ю.Г. Гуревич, Г.Н. Логвинов. ФТП, 26, 1945 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.