"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Примесный фоторезистор в режиме импульсного оптического гетеродинирования
Асланов Г.А.1, Бурбаев Т.М.1, Курбатов В.А.1, Пенин Н.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Исследованы пороговые характеристики фоторезисторов из германия, легированного цинком с полностью компенсированным первым уровнем, в режиме мощного импульсного гетеродина. Показано, что в таком режиме обеспечивается сочетание высокой пороговой чувствительности, 6· 10-19 Вт/Гц, с широкой информационной полосой, ~2 ГГц, при температуре жидкого азота. Обнаружено уменьшение квантовой эффективности фоторезисторов при высоких интенсивностях излучения гетеродина, I>100 Вт/см2, которое объясняется возрастанием амплитуды потенциального рельефа, вызванным оптическим возбуждением примесных центров. Проведены количественные оценки этого эффекта, которые согласуются с экспериментальными результатами.
  1. Р.М. Фано. \it Теоретическиеограничения полосы согласования произвольных импедансов (М., 1965)
  2. Г.М. Малышев, Г.Т. Раздобарин. В сб.: \it Диагностика плазмы (М., 1973) вып. 3
  3. Г.А. Асланов, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 19, 1736 (1985)
  4. А.П. Болтаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин, Н.Н. Соловьев. ФТП, 7, 1896 (1973)
  5. В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. Квант. электрон., 3, 1909 (1976)
  6. N. Bretz, G. Tayler. Report YO Princeton (Plazma Physics Lab., 1981)
  7. H.Z. Cummins, H.L. Swinnery. In: \it Progress in Optics, ed. by E. Wolf (1970) vol. 8, p. 135
  8. В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 6, 903 (1972)
  9. Г.А. Асланов, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Н.А. Пенин. ФТП, 27, 277 (1993)
  10. М.Г. Галкин, В.А. Курбатов, Н.Н. Соловьев. ФТП, 22, 1122 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.