"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование процессов перетекания при латеральном транспорте в двухъямной наноструктуре
Елесин В.Ф.1, Винокуров О.А.1, Кондрашов В.Е.1, Подливаев А.И.1, Шамраев Б.Н.1
1Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Рассмотрено влияние процессов шунтирования на управление латеральной проводимостью двухъямной наноструктуры. Найдена критическая длина образца, при превышении которой шунтирование становится определяющим.
  • А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 57, 565 (1993)
  • В.Л. Загускин, В.Е. Кондрашов. ДАН СССР, 163, 1107 (1965)
  • А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. \it Уравнения математической физики (М., 1953)
  • P. Johansson, G. Wendin. Phys. Rev. B, 46, 1451 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.