"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование процессов перетекания при латеральном транспорте в двухъямной наноструктуре
Елесин В.Ф.1, Винокуров О.А.1, Кондрашов В.Е.1, Подливаев А.И.1, Шамраев Б.Н.1
1Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.

Рассмотрено влияние процессов шунтирования на управление латеральной проводимостью двухъямной наноструктуры. Найдена критическая длина образца, при превышении которой шунтирование становится определяющим.
  1. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 57, 565 (1993)
  2. В.Л. Загускин, В.Е. Кондрашов. ДАН СССР, 163, 1107 (1965)
  3. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский. \it Уравнения математической физики (М., 1953)
  4. P. Johansson, G. Wendin. Phys. Rev. B, 46, 1451 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.