"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGa1-xAs на подложке GaAs
Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Блохин С.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Захаров Н.Д.2, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.3, Werner P.2, Guffart F.3, Bimberg D.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Max-Plank Institut fur Mikrostructurphysik, Halle, Deutschland
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 15 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследованы структурные и оптические свойства квантовых точек InAs, осажденных на поверхности толстого метаморфного слоя InGaAs, выращенного на подложке GaAs. Показано, что плотность квантовых точек и их латеральный размер увеличиваются по сравнению со случаем роста непосредственно на подложке GaAs. Увеличение концентрации индия в слое InGaAs приводит к сдвигу линии фотолюминесценции в сторону больших длин волн и при концентрации индия в метаморфном слое 30 ат% длина волны максимума линии фотолюминесценции составляет 1.55 мкм. Исследования электронного спектра квантовых точек методом спектроскопии возбуждения фотолюминесценции позволяют сделать вывод об уменьшении разности энергий между подуровнями носителей заряда в квантовых точках при увеличении концентрации индия в матрице InGaAs.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley and Sons, 1999)
  2. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures (Springer, Berlin, 2003)
  3. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. ФТП, в печати.
  4. А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37 (9), 1143 (2003)
  5. А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, А.Ю. Егоров, В.А. Одноблюдов, Н.А. Малеев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 37 (12), 1461 (2003)
  6. N.N. Ledentsov, F.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39, 1126 (2003)
  7. N.N. Ledentsov. USA. Patent N 6653166 "Semiconductor device and method of making same"
  8. L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 (2001)
  9. F. Guffarth, R. Heitz, A. Schliwa, O. Stier, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 64 (15), 85 305 (2001)
  10. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  11. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, R.Heitz, V.A. Shchukin, W. Neumann, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000)
  12. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59 (8), 5688 (1999)
  13. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev and Zh.I. Alferov. Proc. 22nd Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Vancouver, Canada, 1994), ed by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995) v. 3, p. 1855
  14. R. Heitz, O. Stier, I. Mukhametzhanov, A. Madhukar, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 62 (16), 11 017 (2000)
  15. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Proc. 7th Int. Conf. Modulated Semicond. Struct. (Madrid, July, 1995). [Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.