"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cтимулирование металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC протонным облучением
Козловский В.В.1, Иванов П.А.2, Румянцев Д.С.1, Ломасов В.Н.1, Самсонова Т.П.2
1Cанкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Показано, что облучение структур Ni--SiC протонами при повышенных температурах способствует ускорению металлургических реакций на интерфейсе Ni--SiC за счет диффузионного механизма, стимулированного радиационным дефектообразованием. Наибольший эффект "перемешивания" интерфейса металл--полупроводник достигается при совпадении толщины пленки металла с величиной проецированного пробега протонов.
  1. Thin films-interdiffusion and reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer (John Wiley\&Sons, N. Y., 1978). [ Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакция, пер. под ред. В.Ф. Киселева, В.В. Поспелова (М., Мир, 1982)]
  2. K. Robbie, S.T. Jemander, N. Lin, C. Hallin, R. Erlandsson, G.V. Hansson, L.D. Madsen. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 981 (2000)]
  3. T. Nakamura, H. Shimada, M. Satoh. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 985 (2000)]
  4. T. Toda, Y. Ueda, M. Sawada. Proc. of the ICSCRM-1999 (Research Triangle Park, North Carolina, USA, 1999). [Mater. Sci. Forum, 338--342, 989 (2000)]
  5. R. Kelly, J.B. Sanders. Surf. Sci., 57, 143 (1976)
  6. K.B. Winterborn. Rad. Eff., 49, 97 (1980)
  7. J.W. Mayer, B.Y. Tsaur, S.S. Lau, L.S. Hung. Nucl. Instrum. Meth., 182/183, 1 (1981)
  8. D.B. Poker, B.R. Appleton, J. Appl. Phys. 57, 1414 (1985)
  9. D.K. Sarkar, S. Dhara, K.G.M. Nair, S. Chaudhury. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Rev. B, 161, 992 (2002)
  10. Surface modification and alloying by laser, ion and electron beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N. Y., Plenum Press, 1983)
  11. Ion Beam Modification of Materials, ed. by J.S. Williams, R.G. Elliman and M.C. Ridgway (North--Holland, 1996)
  12. В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. Поверхность. Физика, химия, механика, 3, 146 (1987)
  13. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  14. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  15. L. Calcagno, E. Zanetti, F. La Via, F. Roccaforte, V. Raineri, S. Libertino, F. Giannazzo, M. Mauceri, P. Musumeci. Mater. Sci. Forum, 433--436, 721 (2003)
  16. J.J. Bellina, M.V. Zeller. In: Novel Refractory Semiconductors, ed. by D. Emin, T.L. Aselage and C. Wood (Mater. Res. Soc., Pittsburg, PA, 1987) p. 265
  17. H.H. Andersen, J.F. Ziegler. Hydrogen stopping powers and ranges in all elements (Pergamon Press, N. Y., 1977)
  18. А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде столкновений в твердых телах (М., Энергоатомиздат, 1985)
  19. J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
  20. M.J. Morschbacher, M. Behar. J. Appl. Phys., 91 (10), 6481 (2002)
  21. Y. Morikawa, K. Yamamoto, K. Nagami. Appl. Phys. Lett., 36, 997 (1980)
  22. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999)
  23. E.W. Maby. J. Appl. Phys., 47, 830 (1976)
  24. M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, A.I. Babanin. Abstracts 2nd Int. Seminar on Semiconductor SiC and Related Materials (Novgorod, Russia, 1977) p. 38
  25. A.N. Andreev, M.G. Rastegaeva, A.I. Babanin, N.S. Savkina. Abstracts 2nd Int. Seminar on Semiconductor SiC and Related Materials (Novgorod, Russia, 1977) p. 36

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.