Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Излучательная рекомбинация в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия
Тысченко И.Е.1, Реболе Л.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Nanoparc GmbH, Dresden-Rossendorf, Deutschland
2Nanoparc GmbH, Dresden-Rossendorf, Deutschland
Поступила в редакцию: 5 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия при температуре Ta=450-1100oC и давлении P=12 кбар. Установлено, что появление особенностей в спектрах эмиссии и спектрах возбуждения фиолетовой и зеленой полос фотолюминесценции коррелирует с формированием однородно напряженных нанокристаллов Ge. Выскокоэнергетичный сдвиг полос фотолюминесценции с ростом Ta>=800oC объясняется смещением энергетических уровней формирующихся центров излучательной рекомбинации за счет возрастающих деформационных потенциалов. Наблюдаемая фотолюминесценция объясняется увеличением вероятности прямых излучательных переходов в нанокристаллах Ge с X-подобной зоной проводимости.
- T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
- Y. Maeda. Phys. Rev. B, 51, 1658 (1995)
- W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996).
- J.P. Wilcoxon, P.P. Provencio, G.A. Samara. Phys. Rev. B, 64, 035 417 (2001)
- L. Yue, Y. He. J. Appl. Phys., 81, 2910 (1997)
- H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
- S. Hayashi, J. Kanazawa, M. Takaoka, T. Nagareda, K. Yamamoto. Z. Phys. D, 26, 144 (1993)
- L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
- Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фроб. ФТП, 34, 23 (2000)
- H. Hosono, Y. Abe, D.L. Kinser, R.A. Weeks, K. Muta, H. Kawazoe. Phys. Rev. B, 46, 11 445 (1992)
- J.Y. Zhang, X.M. Bao, Y.H. Ye, X.L. Tan. Appl. Phys. Lett., 73, 1790 (1998)
- M. Martini, F. Meinardi, A. Paleari, G. Spinolo, A. Vedda. Phys. Rev. B, 57, 3718 (1998)
- И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа. ФТП, 37, 479 (2003)
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, R.A. Yankov. Sol. St. Commun. (to be published)
- L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
- L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Barany, B. Schmidt, R. Grotzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Frob, W. Skorupa. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 486, 175 (1998)
- K.L. Teo, S.N. Kwok, P.Y. Yu, S. Guha. Phys. Rev. B, 62, 1584 (2000)
- F.A. Reboredo, A. Zunger. Phys. Rev. B, 62, R2275 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
