"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия
Тысченко И.Е.1, Реболе Л.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Nanoparc GmbH, Dresden-Rossendorf, Deutschland
Поступила в редакцию: 5 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия при температуре Ta=450-1100oC и давлении P=12 кбар. Установлено, что появление особенностей в спектрах эмиссии и спектрах возбуждения фиолетовой и зеленой полос фотолюминесценции коррелирует с формированием однородно напряженных нанокристаллов Ge. Выскокоэнергетичный сдвиг полос фотолюминесценции с ростом Ta>=800oC объясняется смещением энергетических уровней формирующихся центров излучательной рекомбинации за счет возрастающих деформационных потенциалов. Наблюдаемая фотолюминесценция объясняется увеличением вероятности прямых излучательных переходов в нанокристаллах Ge с X-подобной зоной проводимости.
  1. T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  2. Y. Maeda. Phys. Rev. B, 51, 1658 (1995)
  3. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996).
  4. J.P. Wilcoxon, P.P. Provencio, G.A. Samara. Phys. Rev. B, 64, 035 417 (2001)
  5. L. Yue, Y. He. J. Appl. Phys., 81, 2910 (1997)
  6. H.A. Atwater, K.V. Shcheglov, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 321, 363 (1994)
  7. S. Hayashi, J. Kanazawa, M. Takaoka, T. Nagareda, K. Yamamoto. Z. Phys. D, 26, 144 (1993)
  8. L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
  9. Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фроб. ФТП, 34, 23 (2000)
  10. H. Hosono, Y. Abe, D.L. Kinser, R.A. Weeks, K. Muta, H. Kawazoe. Phys. Rev. B, 46, 11 445 (1992)
  11. J.Y. Zhang, X.M. Bao, Y.H. Ye, X.L. Tan. Appl. Phys. Lett., 73, 1790 (1998)
  12. M. Martini, F. Meinardi, A. Paleari, G. Spinolo, A. Vedda. Phys. Rev. B, 57, 3718 (1998)
  13. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа. ФТП, 37, 479 (2003)
  14. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, R.A. Yankov. Sol. St. Commun. (to be published)
  15. L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
  16. L. Rebohle, I.E. Tyschenko, J. von Barany, B. Schmidt, R. Grotzschel, A. Markwitz, R.A. Yankov, H. Frob, W. Skorupa. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 486, 175 (1998)
  17. K.L. Teo, S.N. Kwok, P.Y. Yu, S. Guha. Phys. Rev. B, 62, 1584 (2000)
  18. F.A. Reboredo, A. Zunger. Phys. Rev. B, 62, R2275 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.