"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором
Тетельбаум Д.И.1, Зорин Е.И.1, Лисенкова Н.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Установлено, что в кремнии, предварительно сильно легированном бором с помощью ионной имплантации, при последующей "горячей" имплантации азота имеет место аномально высокая концентрация электронов, которая может превышать концентрацию бора. Предложена модель этого явления, основанная на реакции вытеснения бора из узлов решетки собственными межузельными атомами кремния и последующего замещения атомами азота (донорными центрами).
  1. P.V. Pavlov, E.I. Zorin, D.I. Tetelbaum, A.F. Khokhlov. Phys. St. Sol., 35 (1), 11 (1976)
  2. W.J. Kleinfelder, W.S. Johnson, J.F. Gibbons. Can. J. Phys., 46, 597 (1968)
  3. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко. ФТП, 27, 1194 (1993)
  4. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  5. Д.И. Тетельбаум, И.А. Карпович, М.В. Степихова, В.Г. Шенгуров, К.А. Марков, О.Н. Горшков. Поверхность, 5, 31 (1998)
  6. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instrum. Meth., B174, 123 (2001)
  7. P.A. Stolk, H.-J. Gossman, D.I. Eaglesham, D.C. Jacobson, C.S. Rafferty, G.H. Gilmer. J. Appl. Phys., 81, 603 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.