"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs : S
Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследовано влияние одноосного давления до 8 кбар вдоль кристаллографических направлений [111] и [001] на спектры и поляризацию широкой полосы фотолюминесценции с максимумом при энергии фотонов 1.2 эВ в n-GaAs : S, связываемой с захватом электронов на комплекс VGaSAs. Зависимости поляризации излучения в полосе от энергии фотонов и температуры свидетельствуют о том, что исходно тригональная симметрия комплекса понижена и может быть моноклинной с плоскостью симметрии 011. При этом дисторсии комплекса не переориентируются, а ось его излучающего оптического диполя примерно одинаково отклонена от направлений <111> и <001>, лежащих в плоскости симметрии. Выделение расщепившихся при одноосном давлении компонент полосы фотолюминесценции, основанное на использовании закономерностей пьезоспектроскопического поведения излучения анизотропных центров, подтверждает предлагаемую модель комплекса и показывает, что вклад ротатора в его излучение мал. Результаты сопоставляются с данными для аналогичного комплекса VGaTeAs и свидетельствуют о существенном изменении свойств комплексов вакансия--мелкий донор при замене одного донора VI группы другим.
  1. E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y.--London, Academic Press, 1972) v. 8, p. 321
  2. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Sendai, Japan, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida. [Mater. Sci. Forum, 196--201, pt 1, 231 (1995)]
  3. A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovskij. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995)
  4. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Жуков. ЖЭТФ, 116, 1027 (1998)
  5. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 34, 1201 (2000)
  6. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  7. A.A. Kaplyanskii. J. de Phys., 28 Suppl. N 8--9, 4 (1967)
  8. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 37, 287 (2003)
  9. А.А. Гуткин, А.В. Ермакова. ФТП, 37, 908 (2003)
  10. D.J. Chadi, C.H. Park. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semiconductors (Sendai, Japan, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama-Yoshida [Mater. Sci. Forum, 196--201, pt 1, 285 (1995)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.