"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
Аникин М.М.1, Иванов П.А.1, Растегаев В.П.1, Савкина Н.С.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Впервые изготовлен и исследован полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H. Транзистор --- n-канальный, с затвором в виде p+-n-перехода. Выходные характеристики хорошо соответствуют модели "плавного" канала, разработанной Шокли для полевого транзистора обедненного типа. Проведено сопоставление электрических параметров с параметрами аналогичного транзистора на основе карбида кремния политипа 6H: при сравнимых величинах управляющего поля затвора транзистор на SiC-4H превосходит по крутизне транзистор на SiC-6H за счет большей удельной электропроводности канала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.