"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур
Ильинская Н.Д.1, Кохановский С.И.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

При T=1.8 K в магнитных полях H<7.5 Т получены спектры осциллирующего магнитопоглощения периодической структуры с квантовыми ямами GaAs-Al0.3Ga0.7As (число ям N=20, ширина ямы Lz~130 Angstrem) в прямых опытах по оптическому поглощению свободного тонкого образца. Осциллирующая структура наблюдалась уже в полях 1 Т, что существенно меньше полей H*, удовлетворяющих критерию сильного поля (H*>6 Т). Анализ веерных диаграмм показывает сходимость при H=0 к положениям возбужденных состояний (2s) квантово-размерного экситона, обнаруживающих себя как слабые коротковолновые особенности вблизи основных состояний (1s) при H=0. Предварительный анализ без учета энергий связи диамагнитных экситонов показывает, что для согласования с экспериментальными данными нет необходимости в применении больших значений эффективной массы на дне электронной зоны, чем принятая для объемного материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.