"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Акустоэлектрический эффект и термоэдс увлечения электронов фононами в режиме слабой локализации
Афонин В.В.1, Гальперин Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Изучаются интерференционные поправки к эффекту увлечения электронов фононами и к акустоэлектрическому эффекту. Показано, что локализационные поправки к эффекту увлечения в стандартной ситуации будут подавлены, и поэтому более привлекательным является их изучение в акустоэлектрическом эффекте, где такого подавления нет. Обсуждены последние экспериментальные данные, касающиеся наблюдения интерференционного эффекта в термоэдс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.