"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений AIIIBV
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Приведены данные об инжекционных низкопороговых (Jth<100 А/см2) лазерах в диапазоне длин волн 3-4 мкм, созданных на основе гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb для составов, близких к InAs. Основные свойства лазерных структур рассмотрены на примере двойных гетероструктур (ДГС) с активной областью из InAs. Показано, что величина и температурная зависимость порогового тока, а также максимальная температура, при которой наблюдается генерация, определяются конкуренцией излучательного и безызлучательного механизмов рекомбинации. В области низких температур (T=< 50 K) преобладает излучательная рекомбинация, и величина внутреннего квантового выхода eta i~ 100%. В интервале 77-150 K преобладает межзонная оже-рекомбинация с возбуждением тяжелой дырки в спин-орбитально отщепленную зону, уменьшающая eta i до 2.5% при 150 K. Из экспериментальных зависимостей плотности порогового тока от толщины активной области, уровня легирования, длины резонатора определены оптимальные параметры лазеров на основе n-InAs и поглощение на свободных носителях в n-InAs: для п=5· 1016 см-3 aj~ 5 см-1 (77 K). Наблюдаемый разброс энергий лазерных пиков в ДГС InAsSbP/InAs (hnu~ 393-410 мэВ, 77 K) следует связать, по-видимому, как с возможной реализацией переходов зона-зона, зона-акцептор, так и с интерфейсной рекомбинацией, т. е. переходом из энергетического кармана в зоне проводимости на акцепторные уровни, характерном для гетеропереходов И рода в этой системе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.