"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Переходы Андерсена в системе D--центров
Гинзбург Л.П.1
1Московский институт связи,, Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Рассмотрены два типа переходов Андерсона, которые имеют место в системе D--центров примесного полупроводника. Первый переход связан с эффектом структурной неупорядоченности системы. В основе его анализа лежит теория энергетического спектра подобных систем, развитая в работе автора [ФТП, 23, 813 (1989)]. При выводе критерия перехода установлена существенная роль трехцентровых членов в гамильтониане. Критерий оказывается в гораздо лучшем согласии с экспериментом, нежели расчеты, основанные на других известных подходах. Второй переход связан с эффектом компенсации, которая порождает дополнительный диагональный беспорядок. Показано, что в этом случае в рамках той же модели спектра применение обычного критерия Андерсона позволяет интерпретировать влияние компенсации на проводимость по D--зоне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.