Рассчитаны энергия основного состояния и энергия связи поляронного экситона, образованного неосновными носителями (дырками), связанными с электронами в приповерхностном слое структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Учтена экранировка кулоновского взаимодействия: а) газом свободных носителей, б) свободными носителями в инверсионном канале и поляронный эффект. Показано, что учет эффектов экранировки кулоновского взаимодействия заметно понижает величину энергии связи экситона с поверхностью, что приводит к образованию для экситонов у поверхности "мертвой зоны". Выведен гамильтониан электрон-фононного взаимодействия с поверхностными и объемными фононами с учетом разных вариантов экранировки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.