"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение энергетического спектра плотности поверхностных состояний в МДП структурах с помощью емкостной спектроскопии DLTS при учете взаимодействия с неосновными носителями тока
Лебедев А.А.1, Экке В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Предлагается метод обработки результатов измерения спектров DLTS, который позволяет с достаточно хорошим приближением определить плотность поверхностных состояний (ПС) на границе полупроводник-диэлектрик в значительно расширенном интервале энергий ПС МДП структуры. Измерения релаксации напряжения производятся при разных постоянных положениях квазиуровня Ферми для электронов на поверхности полупроводника, и плотность ПС определяется в том же интервале энергий от состояния обогащения основными носителями тока до начала сильной инверсии. Предложенный метод проверен путем численного расчета перезарядки сплошного спектра при взаимодействии ПС с обеими разрешенными зонами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.