Приведены результаты исследования статических характеристик кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированной базой. Туннельно-тонкий окисел МОП эмиттера изготавливался путем окисления в сухом кислороде при T=700^oC в течение 20-60 мин, размер эмиттера 20x20 мкм² . Исследования показали, что на зависимости дифференциального коэффициента усиления beta_d от напряжения эмиттер-база имеются участки резкого возрастания через интервалы, соответствующие возрастанию энергии туннелирующих электронов на величину порядка E_g кремния; этим участкам соответствует резкое замедление роста I_B, свидетельствующее о появлении внутреннего источника дырок. На основании этого делается вывод о возможной многокаскадной оже-ионизации в области объемного заряда коллектора, производимой туннелирующими горячими электронами. Транзисторы имели beta_d=700-900 и хорошо воспроизводились технологически, что в сочетании с ожидаемым высоким быстродействием дает возможность рассматривать их в качестве перспективной элементной базы кремниевой микроэлектроники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.