"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
(AlGaAs/GaAs)-фотоприемники на подложках Si, полученные комбинированным методом жидкофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии
Андреев В.М.1, Антипов В.Г.1, Калиновский В.С.1, Каллион Р.В.1, Никишин С.А.1, Рувимов С.С.1, Степанов М.В.1, Танклевская Е.М.1, Хвостиков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Сообщается о получении комбинированным методом жидкофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур в системе AlGaAs/GaAs/Si для быстродействующих фотоприемников меза-конструкции. По данным просвечивающей электронной микроскопии, поверхностная плотность дислокаций в полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоях GaAs на подложках Si достигала 107-108 см-2. Подавление антифазных доменов при эпитаксии наблюдалось при достаточно малых толщинах растущего слоя GaAs, достигавших в отдельных случаях величины ~1000 Angstrem. По данным микрокатодолюминесценции, на стадии жидкофазной эпитаксии плотность дефектов в активных областях таких гетероструктур может быть снижена до (2-3)·104 см-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.