Сообщается о получении комбинированным методом жидкофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур в системе AlGaAs/GaAs/Si для быстродействующих фотоприемников меза-конструкции. По данным просвечивающей электронной микроскопии, поверхностная плотность дислокаций в полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии слоях GaAs на подложках Si достигала 10⁷-10⁸ см^-2. Подавление антифазных доменов при эпитаксии наблюдалось при достаточно малых толщинах растущего слоя GaAs, достигавших в отдельных случаях величины ~1000 Angstrem. По данным микрокатодолюминесценции, на стадии жидкофазной эпитаксии плотность дефектов в активных областях таких гетероструктур может быть снижена до (2-3)·10⁴ см^-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.