Проведены исследования электрических характеристик структур Al-GaAs и Au-GaAs с промежуточными слоями соединений A^III₂B^VI₃, полученными обработкой подложек GaAs в парах халькогенов. Показано, что значения высоты барьера Шоттки в системе Me-GaAs зависят от типа халькогена, применяемого для обработки и соответственно от состава образующегося на поверхности GaAs соединения A^III₂B^VI₃. Минимальное значение плотности поверхностных электронных состояний в структурах Me-GaAs достигается при совпадении постоянных кристаллических решеток GaAs и промежуточного слоя соединения A₂^IIIB₃^VI.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.