"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs
Сысоев Б.И.1, Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Стрыгин В.Д.1
1Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Проведены исследования электрических характеристик структур Al-GaAs и Au-GaAs с промежуточными слоями соединений AIII2BVI3, полученными обработкой подложек GaAs в парах халькогенов. Показано, что значения высоты барьера Шоттки в системе Me-GaAs зависят от типа халькогена, применяемого для обработки и соответственно от состава образующегося на поверхности GaAs соединения AIII2BVI3. Минимальное значение плотности поверхностных электронных состояний в структурах Me-GaAs достигается при совпадении постоянных кристаллических решеток GaAs и промежуточного слоя соединения A2IIIB3VI.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.