"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Естественные неоднородности потенциала у поверхности примесного полупроводника
Бондаренко В.Б.1, Кудинов Ю.А.1, Ершов С.Е.1, Кораблев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Построена модель приповерхностной области изгиба зон полупроводника, учитывающая дискретность заряда легирующей примеси и его случайное распределение. Произведен расчет электростатического поля и потенциала на поверхности. Показано, что локальные поверхностные электрические поля могут достигать величин на порядок выше, чем величина поля в одномерной модели изгиба зон. В случае, когда изгиб поддерживается зоной делокализованных поверхностных состояний, средние флуктуации потенциала на поверхности не превышают kT при комнатной температуре, а в случае дискретных поверхностных состояний имеют значения порядка величины изгиба зон.
  1. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  2. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 75, 191 (1987)
  3. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  4. В.А. Гергель, Г.В. Шпатаковская. ФТП, 27, 923 (1993)
  5. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Элетродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
  6. H. Palm, M. Arbes, M. Schulz. Phys. Rev. Lett., 71, 2224 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.