Построена модель приповерхностной области изгиба зон полупроводника, учитывающая дискретность заряда легирующей примеси и его случайное распределение. Произведен расчет электростатического поля и потенциала на поверхности. Показано, что локальные поверхностные электрические поля могут достигать величин на порядок выше, чем величина поля в одномерной модели изгиба зон. В случае, когда изгиб поддерживается зоной делокализованных поверхностных состояний, средние флуктуации потенциала на поверхности не превышают kT при комнатной температуре, а в случае дискретных поверхностных состояний имеют значения порядка величины изгиба зон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.