"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К теории потенциала в гетероструктуре с латеральной решеткой электродов
Ефанов А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Теоретически рассчитывается пространственное распределение потенциала в гетероструктуре с периодической решеткой встречно-штырьевых электродов на верхней поверхности и металлическим электродом на нижней. Полупроводник описывается как однородный диэлектрик в отсутствие сторонних зарядов. Формулы для потенциала выводятся с помощью метода конформных отображений.
  1. H. Drexler, W. Hansen, S. Manus, J.P. Kotthaus, M. Holland, S.P. Beaumont. Phys. Rev. B, 49, 14074 (1994)
  2. J.H. Davies, I.A. Larkin. Phys. Rev. B, 49, 4800 (1994)
  3. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.