"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние состава паровой фазы в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращиваемых методом вакуумной сублимации
Андреев А.Н.1, Смирнова Н.Ю.1, Щеглов М.П.1, Растегаева М.Г.1, Челноков В.Е.1, Растегаев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Исследовано влияние избыточного кремния в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращиваемых методом вакуумной сублимации. Показано, что увеличение давления паров кремния, соответствующее переходу от системы SiC--C к системе SiC--Si может приводить к увеличению концентрации нескомпенсированной донорной примеси в эпитаксиальных слоях n-типа проводимости более чем на порядок величины. Полученные результаты интерпретируются на основе данных о различии в положении атомов донорной и акцепторной примеси в кристаллической решетке SiC (в подрешетках углерода и кремния соответственно). Структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев изучено методами рентгеновской дифрактометрии.
  1. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, P.A. Ivanov, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. \it Semiconductor interfaces and micro--structures (Singapore, World Scientific, 1992) p. 280
  2. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng., B II, 113 (1992)
  3. М.Г. Рамм, Е.Н. Мохов, Р.Г. Веренчикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2233 (1979)
  4. Е.Н. Мохов, М.М. Усманова, Г.Ф. Юлдашев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 258 (1981)
  5. Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков, М.И. Федоров, Р.Г. Веренчикова. Письма ЖТФ, 16, 33 (1990)
  6. Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков, Ю.А. Водаков, Р.Г. Веренчикова, А.Г. Забродский, Е.Г. Кольцова, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, В.Г. Одинг. В сб.: \it Свойства легирования полупроводниковых материалов, под ред. В.С. Земскова (М., Наука, 1990) с. 51
  7. A.O. Konstantinov, P.A. Ivanov. In: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994)] p. 378
  8. Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, Р.Г. Веренчикова. В кн.: \it Тез. докл. II Всес. совещ. по широкозонным полупроводникам (Л., изд. ЛИЯФ, 1979) с. 51
  9. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 1606 (1977)
  10. А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 7, 247 (1981)
  11. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1768 (1984)
  12. И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1985)
  13. J. Drowart, G. De Maria, I. Inghram. J. Chem. Phys., 29, 1015 (1958)
  14. W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. B, 2, 4959 (1970)
  15. H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama. J. Appl. Phys. 77, 837 (1995)
  16. J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. In.: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994) p. 211]
  17. R.N. Jutt, E.N. Mokhov, A.S. Tregubova. Sol. St. Phys., 23, 2496 (1981)
  18. D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.C. Matis. In.: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994)] p. 51

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.