Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние состава паровой фазы в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращиваемых методом вакуумной сублимации
Андреев А.Н.1, Смирнова Н.Ю.1, Щеглов М.П.1, Растегаева М.Г.1, Челноков В.Е.1, Растегаев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.
Исследовано влияние избыточного кремния в ростовой ячейке на уровень легирования эпитаксиальных слоев SiC-6H, выращиваемых методом вакуумной сублимации. Показано, что увеличение давления паров кремния, соответствующее переходу от системы SiC-C к системе SiC-Si может приводить к увеличению концентрации нескомпенсированной донорной примеси в эпитаксиальных слоях n-типа проводимости более чем на порядок величины. Полученные результаты интерпретируются на основе данных о различии в положении атомов донорной и акцепторной примеси в кристаллической решетке SiC (в подрешетках углерода и кремния соответственно). Структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев изучено методами рентгеновской дифрактометрии.
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, P.A. Ivanov, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. \it Semiconductor interfaces and micro--structures (Singapore, World Scientific, 1992) p. 280
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk. Mater. Sci. Eng., B II, 113 (1992)
- М.Г. Рамм, Е.Н. Мохов, Р.Г. Веренчикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 2233 (1979)
- Е.Н. Мохов, М.М. Усманова, Г.Ф. Юлдашев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 17, 258 (1981)
- Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков, М.И. Федоров, Р.Г. Веренчикова. Письма ЖТФ, 16, 33 (1990)
- Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, А.Д. Роенков, Ю.А. Водаков, Р.Г. Веренчикова, А.Г. Забродский, Е.Г. Кольцова, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, В.Г. Одинг. В сб.: \it Свойства легирования полупроводниковых материалов, под ред. В.С. Земскова (М., Наука, 1990) с. 51
- A.O. Konstantinov, P.A. Ivanov. In: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994)] p. 378
- Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, Р.Г. Веренчикова. В кн.: \it Тез. докл. II Всес. совещ. по широкозонным полупроводникам (Л., изд. ЛИЯФ, 1979) с. 51
- Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 1606 (1977)
- А.О. Константинов, Е.Н. Мохов. Письма ЖТФ, 7, 247 (1981)
- М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 1768 (1984)
- И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1985)
- J. Drowart, G. De Maria, I. Inghram. J. Chem. Phys., 29, 1015 (1958)
- W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. B, 2, 4959 (1970)
- H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama. J. Appl. Phys. 77, 837 (1995)
- J. Reinke, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. In.: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994) p. 211]
- R.N. Jutt, E.N. Mokhov, A.S. Tregubova. Sol. St. Phys., 23, 2496 (1981)
- D.J. Larkin, P.G. Neudeck, J.A. Powell, L.C. Matis. In.: \it Silicon Carbide and Related Materials (\it Proc. 5th Conf., Washington, DC, USA, 1993), ed. by M.G.Spencer et al. [Inst. Phys. Publ., N 137 (Briston and Philadelphia, 1994)] p. 51
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
