Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученных кремниевых p-n-переходах

Афанасьев М.М.¹, Власенко М.П.¹, Власенко Л.С.¹, Ломасов В.Н.¹, Милицын А.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 декабря 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Описаны методы детектирования и идентификации парамагнитных центров рекомбинации в кремниевых p-n-переходах, содержащих радиационные дефекты. Методы основаны на явлениях спин-зависимой рекомбинации неравновесных носителей через возбужденные триплетные состояния радиационных дефектов и изменения фотопроводимости при значениях магнитного поля, соответствующих точкам антипересечения магнитных подуровней триплетных центров. Рассмотрены особенности регистрации парамагнитных центров по изменению микроволновой фотопроводимости и фотоэлектрическими методами при прямом и обратном включении p-n-переходов.

D. Lepine. Phys. Rev. B, 6, 436 (1972)
Л.С. Власенко, М.П. Власенко, В.Н. Ломасов, В.А. Храмцов. ЖЭТФ, 91, 1037 (1986)
Л.С. Власенко, В.А. Храмцов. Письма ЖЭТФ, 42, 32 (1985)
Л.С. Власенко, В.А. Храмцов. ФТП, 20, 1093 (1986)
L.S. Vlasenko, Yu.V. Martynov, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 52, 1144 (1995)
Дж. Вертц, Дж. Болтон. \it Теория и практические приложения метода ЭПР (М., Мир, 1975) с. 238. [Пер. с англ.: J.E. Wertz, J.R. Bolton. \it Electron Spin Resonance (McGraw-Hill Book Company, N. Y., 1972)]
K.P. O'Donnell, K.M. Lee, G.D. Watkins. Physica, 116 B, 258 (1983)
K.L. Brower. Phys. Rev. B, 4, 1968 (1971)
В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков. \it Полупроводниковые приборы (М., Высш. шк., 1981) с. 51

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель