Вышедшие номера
Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученных кремниевых p-n-переходах
Афанасьев М.М.1, Власенко М.П.1, Власенко Л.С.1, Ломасов В.Н.1, Милицын А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Описаны методы детектирования и идентификации парамагнитных центров рекомбинации в кремниевых p-n-переходах, содержащих радиационные дефекты. Методы основаны на явлениях спин-зависимой рекомбинации неравновесных носителей через возбужденные триплетные состояния радиационных дефектов и изменения фотопроводимости при значениях магнитного поля, соответствующих точкам антипересечения магнитных подуровней триплетных центров. Рассмотрены особенности регистрации парамагнитных центров по изменению микроволновой фотопроводимости и фотоэлектрическими методами при прямом и обратном включении p-n-переходов.