"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование электрически активных центров за областью торможения ионов при высокотемпературной имплантации в кремний
Антонова И.В.1, Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Методом DLTS исследовались дефекты в кремнии, создаваемые ионной имплантацией за пределами области торможения ионов. После имплантации ионов при температуре мишени Ti=<q 700 oC в кремнии были обнаружены дискретные уровни, заполнение которых зависело логарифмически от длительности заполняющего импульса. При имплантации с Ti>=q 800 oC в спектре были видны полосы из нескольких уровней. Для них были характерны быстрое (t<10 мкс) одновременное заполнение и корневая зависимость их концентрации от дозы ионов. При температуре мишени Ti=1000 oC формирования уровней не было обнаружено. Предполагается, что при Ti=<q 700 oC за образование уровней ответственны близко расположенные точечные центры (например, внутри стержнеобразных дефектов), заполнение которых затруднено кулоновским отталкиванием. При температуре мишени между 800 и 100 oC образуются дефекты, расположенные на краях дислокационных петель.
  1. Г.А. Качурин, Л.И. Федина, И.Е. Тысченко. Поверхность, 1, 72 (1990)
  2. G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nucl. Inctr. Meth., B 68, 323 (1992)
  3. K. Holldack, H. Kerkow, W. Ferntrup. Phys. St. Sol. (a), 94, 357 (1986)
  4. P. Pichler, R. Schork, T. Klauser, H. Ryssel. Appl. Phys. Lett., 60, 953 (1992)
  5. P. Pichler, R. Schork, T. Klauser, H. Ryssel. IEICE Trans. Electron., E75-C, 128 (1992)
  6. P. Omling, E.R. Weber, Z. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
  7. Е.Р. Вебер, П. Омлинг, К. Кизеловски-Киммерих, Х. Александер. Изв. АН СССР. Физика, 51, 644 (1987)
  8. J.R. Ayres, S.D. Brotherton, J.M. Shannon, J. Politiek. Appl. Phys. Lett., 57, 2214 (1990)
  9. J.R. Ayres, S.D. Brotherton. J. Appl. Phys., 71, 2702 (1992)
  10. K. Seshan, J. Washburu. Rad. Eff., 37, 147 (1978)
  11. G.A. Kachurin, I.E. Tyshchenko, L.I. Fedina, E. Wieser, Ch. Weise. Phys. St. Sol. (a), 102 265 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.