Методом DLTS исследовались дефекты в кремнии, создаваемые ионной имплантацией за пределами области торможения ионов. После имплантации ионов при температуре мишени T_i=<q 700 ^oC в кремнии были обнаружены дискретные уровни, заполнение которых зависело логарифмически от длительности заполняющего импульса. При имплантации с T_i>=q 800 ^oC в спектре были видны полосы из нескольких уровней. Для них были характерны быстрое (t<10 мкс) одновременное заполнение и корневая зависимость их концентрации от дозы ионов. При температуре мишени T_i=1000 ^oC формирования уровней не было обнаружено. Предполагается, что при T_i=<q 700 ^oC за образование уровней ответственны близко расположенные точечные центры (например, внутри стержнеобразных дефектов), заполнение которых затруднено кулоновским отталкиванием. При температуре мишени между 800 и 100 ^oC образуются дефекты, расположенные на краях дислокационных петель.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.