Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование электрически активных центров за областью торможения ионов при высокотемпературной имплантации в кремний

Антонова И.В.¹, Качурин Г.А.¹, Тысченко И.Е.¹, Шаймеев С.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 11 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом DLTS исследовались дефекты в кремнии, создаваемые ионной имплантацией за пределами области торможения ионов. После имплантации ионов при температуре мишени T_i=<q 700 ^oC в кремнии были обнаружены дискретные уровни, заполнение которых зависело логарифмически от длительности заполняющего импульса. При имплантации с T_i>=q 800 ^oC в спектре были видны полосы из нескольких уровней. Для них были характерны быстрое (t<10 мкс) одновременное заполнение и корневая зависимость их концентрации от дозы ионов. При температуре мишени T_i=1000 ^oC формирования уровней не было обнаружено. Предполагается, что при T_i=<q 700 ^oC за образование уровней ответственны близко расположенные точечные центры (например, внутри стержнеобразных дефектов), заполнение которых затруднено кулоновским отталкиванием. При температуре мишени между 800 и 100 ^oC образуются дефекты, расположенные на краях дислокационных петель.

Г.А. Качурин, Л.И. Федина, И.Е. Тысченко. Поверхность, 1, 72 (1990)
G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, L.I. Fedina. Nucl. Inctr. Meth., B 68, 323 (1992)
K. Holldack, H. Kerkow, W. Ferntrup. Phys. St. Sol. (a), 94, 357 (1986)
P. Pichler, R. Schork, T. Klauser, H. Ryssel. Appl. Phys. Lett., 60, 953 (1992)
P. Pichler, R. Schork, T. Klauser, H. Ryssel. IEICE Trans. Electron., E75-C, 128 (1992)
P. Omling, E.R. Weber, Z. Montelius, H. Alexander, J. Michel. Phys. Rev. B, 32, 6571 (1985)
Е.Р. Вебер, П. Омлинг, К. Кизеловски-Киммерих, Х. Александер. Изв. АН СССР. Физика, 51, 644 (1987)
J.R. Ayres, S.D. Brotherton, J.M. Shannon, J. Politiek. Appl. Phys. Lett., 57, 2214 (1990)
J.R. Ayres, S.D. Brotherton. J. Appl. Phys., 71, 2702 (1992)
K. Seshan, J. Washburu. Rad. Eff., 37, 147 (1978)
G.A. Kachurin, I.E. Tyshchenko, L.I. Fedina, E. Wieser, Ch. Weise. Phys. St. Sol. (a), 102 265 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель