Вышедшие номера
Кинетика образования и разрушения индуцированных радиационно-термическим воздействием пар V As Zn Ga в p-GaAs<Zn >
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Изучено влияние электронного облучения (с дозой Phi=1016 см-2) и последующих отжигов (при температуре T=150/350o C, в течение времени t=10/600 мин) кристаллов p-GaAs<Zn> на образование и диссоциацию пар V As ZnGa. Анализ кинетики образования и диссоциации пар V As ZnGa позволил определить коэффициент диффузии радиационно-стимулированных вакансий мышьяка D (D=1.5·10-18, 1·10-17 и 5·10-17 см2/с при 150, 175 и 200o C соответственно), энергию активации процесса их диффузии varepsilonm (varepsilonm=1.1 эВ), а также энергию диссоциации последних varepsilond (varepsilond=1.6 эВ).