"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение параметров слоистых полупроводниковых структур методом ИК отражения
Болтарь К.О.1, Федирко В.А.1
1Московский государственный технологический университет "СТАНКИН", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Исследованы экспериментальные ИК спектры отражения структур, содержащих до 5 полупроводниковых слоев AlGaAs на подложках арсенида галлия, а также диффузионно-легированных и ионно-имплантированных структур кремния. Задача определения профилей концентрации и мольной доли в твердых растворах полупроводниковых структур решалась путем нахождения на ЭВМ набора значений параметров, при которых модельный спектр ИК отражения наименее отличался от измеренного. Полученные результаты для ряда структур сравниваются с данными, полученными другими методами.
  1. Л.П. Павлов. \it Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  2. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1976)
  3. Н.А. Денисов, Т.А. Крузе, А.В. Резвов, Д.И. Тетельбаум. Микроэлектроника, 13, 269 (1984)
  4. А.Э. Бочкарев, Г.М. Зингер, М.А. Ильин и др. \it Тез. докл. X Всес. конф. по физике полупроводников (Минск, 1985) ч. 1, с. 178
  5. S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
  6. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Мир, 1970)
  7. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.