"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эллипсометрическое исследование эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериодических с InP
Дроздов С.В.1, Кипшидзе Г.Д.1, Лебедев В.Б.1, Новиков С.В.1, Шаронова Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Слои твердых растворов InGaAs и InAlAs, изопериодических с подложкой InP, выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены эллипсометрические измерения на длине волны 6328 Angstrem. В результате анализа эллипсометрических параметров определены значения показателя преломления и коэффициента экстинкции для ряда твердых растворов.
  1. Р. Аззам, Н. Башара. \it Эллипсометрия и поляризованный свет (М., Мир, 1981)
  2. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  3. H. Burkhard, H.W. Dinges, E. Kuphal. J. Appl. Phys., 53, 655 (1982)
  4. D.E. Asphes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys. 60, 754 (1986)
  5. Т.Л. Макарова, Л.В. Шаронова, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1830 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.