"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики
Буянова И.А.1, Городецкий И.Я.1, Корсунская Н.Е.1, Савчук А.У.1, Шейнкман М.К.1, Мельник Т.Н.2, Раренко И.М.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 30 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции пористого кремния и спектры возбуждения фотолюминесценции, их зависимость от условий получения, травления и низкотемпературного отжига образцов, а также поляризационные характеристики свечения. Показано, что спектры возбуждения люминесценции содержат полосы в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, положения которых не зависят от режима получения образцов и положения максимумов полос фотолюминесценции. Наблюдалось исчезновение видимых полос в спектрах возбуждения фотолюминесценции при травлении образцов в растворе HF и последующее их восстановление со временем при незначительном изменении интенсивности возбуждающего ультрафиолетового излучения. На основании полученных результатов предложена новая модель сенсибилизированной люминесценции пористого Si: возбуждение излучения в видимой области является результатом поглощения света сенсибилизатором, расположенным на поверхности p-Si, по-видимому, силоксеном, с последующей передачей возбуждения центрам излучения. Показано, что поляризационные характеристики люминесцентного излучения определяются направлением нитей.
  1. J. Vial, A. Bsiesy, F. Gaspard, R. Herino, M. Liglon, F. Muller, R. Romestain, R. Macfarlane. Phys. Rev. B, 45, 14171 (1992)
  2. V.M. Asnin, N.S. Averkiev, A.V. Churilov, I.I. Markov, N.E. Mokrousov, A.Yu. Silov, V.I. Stepanov. Sol. St. Commun., 87, 817 (1993)
  3. P.D.J. Calcott, K.J. Nash, L.T. Canham, M.J. Kane, D. Brumhead. J. Phys. C, 5, L91 (1993)
  4. Y. Kanemitsy, T. Matsumoto, T. Futagi, H. Mimura. Japan. J. Appl. Phys., 32, 411 (1993)
  5. H.D. Fuchs, M. Stutzmann, M.S. Brandt, M. Rosenbauer, J. Weber, A. Breirschwerdt, P. Deak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 48, 8172 (1993)
  6. M.S. Brandt, H.D. Fuchs, M. Stutzman, J. Weber, M. Cardona. Sol. St. Commun., 81, 307 (1992)
  7. J.M. Lavine, S.P. Sawan, Y.T. Shieh, A.J. Bellezza. Appl. Phys. Lett., 62, 1099 (1993)
  8. S.M. Prokes, O.J. Glembovski. Phys. Rev. B, 49, 2238 (1993)
  9. М.С. Бреслер, И.Н. Ясиевич. ФТП, 27, 871 (1993)
  10. H. Aoyagi, A. Motohashi, A. Kinoshita, T. Aono, A. Satou. Japan. J. Appl. Phys., 32, L1 (1993)
  11. T. Motohiro, T. Kachi, F. Miura, Y. Takeda, J. Hyodo, S. Noda. Japan. J. Appl. Phys., 31, L207 (1992)
  12. И.А. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 1791 (1986)
  13. А.Н. Старухин, А.А. Лебедев, Б.С. Разбирин, Л.М. Капитонов. Письма ЖТФ, 18, 60 (1992)
  14. I.A. Buyanova, E.I. Oborina, S.S. Ostapenko. Semicond. Sci. Techn., 4, 797 (1989)
  15. T. Sagnes, A. Halimaoui, G. Vincent, P.A. Badoz. Appl. Phys. Lett., 62, 1155 (1993)
  16. P. Deak, A. Hopner, A. Brietshwerdt. Adv. Sol. St. Phys., 32, 1 (1992)
  17. S.-F. Chuang, S.D. Collins, R.L. Smith. Appl. Phys. Lett., 55, 675 (1989)
  18. V.P. Parkhutik, J.M. Albella, J.M. Martinez-Duart, J.M. Gomez-Rodriguez, A.M. Baro. Appl. Phys., Lett., 62, 366 (1993)
  19. K. Barla, R. Herino, G. Bomchil, J.C. Pfister, A. Freund. J. Cryst. Growth, 68, 727 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.