"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация механически разупорядоченного нелегированного p-CdTe
Бабенцов В.Н.1
1Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Исследована излучательная рекомбинация механически разупорядоченного шлифовкой нелегированного p-CdTe при 4.2 и 77 K. Показано, что при увеличении плотности дислокаций от 5·103 до 105 см-2 в спектре фотолюминесценции, при общем падении интенсивностей исходно наблюдавшихся полос, происходит рост интенсивностей линии 1.475 эВ (4.2 K) и полосы с максимумом 1.0 эВ (77 K). Линия 1.475 эВ обусловлена рекомбинацией экситона, связанного потенциалом сложного дефекта, имеющего несколько конфигурационных форм, а полоса 1.0 эВ --- прямой рекомбинацией электрона на уровне дефекта и дырки валентной зоны. Коррелированный рост интенсивностей линии 1.474 эВ и полосы 1.0 эВ объясняется их связью с одним и тем же дефектом, обладающим донорным уровнем с глубиной залегания Ec-0.64 эВ. В качестве химической модели дефекта предложен теллуровый кластер, включающий в себя несколько антиструктурных дефектов TeCd и межузельных атомов теллура. Предполагается образование такого дефекта и при изготовлении барьера Шоттки металл--CdTe, что обусловливает закрепление уровня Ферми на уровне Ec-0.64 эВ.
  1. T. Figielski. Sol. St. Electron., 21, 1403 (1978)
  2. В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, В.П. Кладько и др. ОМП, 7, 34 (1989)
  3. В.Н. Бабенцов, В.М. Булах, С.И. Горбань, Л.В. Рашковецкий, Е.А. Сальков. ФТП, 23, 1560 (1989)
  4. В.Н. Бабенцов, А. Байдуллаева, Б.М. Булах, С.И. Горбань, П.Е. Мозоль. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 12, 144 (1988)
  5. В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Е.А. Сальков, Н.И. Тарбаев. ФТП, 21, 1724 (1987)
  6. P.J. Dean, G.M. Williams, G. Blackmore. J. Phys. D: Appl. Phys., 17, 2291 (1984)
  7. D.J. Leopold, J.M. Ballingall, M.L. Wroge. Appl. Phys. Lett., 49, 1473 (1986)
  8. Z.C. Feng, A. Mascarenhas, W.J. Choike. J. Luminesc., 35, 329 (1986)
  9. C. Onodera, T. Taguchi. J. Cryst. Growth, 101, 502 (1990)
  10. В.Н. Бабенцов, С.И. Горбань, Ю.Н. Евтухов. ФТП, 26, 1063 (1992)
  11. J.P. Noblang, J. Loudetle, G. Duraffourd. Phys. St. Sol., 32, 281 (1969)
  12. E. Molva, J.P. Chamonal, J.L. Pautra, Phys. St. Sol. (b), 109, 635 (1982)
  13. D.M. Hoffmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B, 45, 6247 (1992)
  14. F.J. Bryant, E. Webster. J. Phys. D: Appl. Phys., 1, 965 (1968)
  15. R. Ky\^zel, V. Luka\^s. Phys. St. Sol., 14, K169 (1966)
  16. H. Sitter, D. As, J. Humenberger, A. Lopes-Otero. J. Cryst. Growth, 59, 229 (1982)
  17. Ж. Панков. \it Оптические процессы в полупроводниках (М., 1973)
  18. M.A. Berdin, M. van Schilfgaarde, A.T. Paxton, A. Sher. J. Vac. Sci. Techn. A, 8, 1103 (1990)
  19. D. Hennig, M. Henke, H. Kaschte. J. Cryst. Growth, 101, 355 (1990)
  20. R.D.S. Yadava, R.K. Bagai, W.N. Borbe. J. Electron. Mater., 21, 1001 (1992)
  21. A.K. Wahi, G.P. Carey, T.T. Chiang, I. Lindau, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Techn., 7, 494 (1989)
  22. R.H. Williams, N. Forsyth, I.M. Dhardamasa, Z. Sobiesierski. Appl. Surf. Sci., 41/42, 189 (1989)
  23. J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 52, 465 (1984)
  24. J.L. Shaw, R.T. Vitturo, L.J. Brillson, D. La Graffe. J. Vac. Sci. Techn. A, 7, 489 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.