Исследована излучательная рекомбинация механически разупорядоченного шлифовкой нелегированного p-CdTe при 4.2 и 77 K. Показано, что при увеличении плотности дислокаций от 5·10³ до 10⁵ см^-2 в спектре фотолюминесценции, при общем падении интенсивностей исходно наблюдавшихся полос, происходит рост интенсивностей линии 1.475 эВ (4.2 K) и полосы с максимумом 1.0 эВ (77 K). Линия 1.475 эВ обусловлена рекомбинацией экситона, связанного потенциалом сложного дефекта, имеющего несколько конфигурационных форм, а полоса 1.0 эВ - прямой рекомбинацией электрона на уровне дефекта и дырки валентной зоны. Коррелированный рост интенсивностей линии 1.474 эВ и полосы 1.0 эВ объясняется их связью с одним и тем же дефектом, обладающим донорным уровнем с глубиной залегания E_c-0.64 эВ. В качестве химической модели дефекта предложен теллуровый кластер, включающий в себя несколько антиструктурных дефектов Te_Cd и межузельных атомов теллура. Предполагается образование такого дефекта и при изготовлении барьера Шоттки металл-CdTe, что обусловливает закрепление уровня Ферми на уровне E_c-0.64 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.