"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация фотоэдс в кремниевых МДП структурах при действии электрического импульса
Давыдов В.Н.1, Несмелов С.Н.1
1Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Проведено экспериментальное исследование релаксации малосигнальной фотоэдс, вызванной действием импульса электрического поля длительностью 40 с и амплитудой от -5 B до 5В на МДП структуры n-Si--SiO2, p-Si--SiO2, n-Si--( V2O5-B2O3-CaO). Релаксация фотоэдс может быть вызвана изменением заряда в диэлектрике вследствие инжекции носителей заряда из полупроводника и полевого электрода на фронтах импульса, а также миграции заряда в диэлектрике под действием электрического поля импульса.
  1. A. Goetzberger, A.D. Lopez, R.J. Strain. J. Electrochem. Soc., 120, 90 (1973)
  2. S.K. Lai. Appl. Phys. Lett., 39, 58 (1981)
  3. А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
  4. О.В. Константинов, О.М. Мезрин. ФТП, 17, 1656 (1983)
  5. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. \it Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  6. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  7. S.N. Kozlov. Phys. St. Sol. (a), 42, 115 (1977)
  8. В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.А. Зарифьянц. В сб.: \it Проблемы физической химии поверхности полупроводников, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1978) с. 200

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.