Релаксация фотоэдс в кремниевых МДП структурах при действии электрического импульса
Давыдов В.Н.1, Несмелов С.Н.1
1Томская государственная академия систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Проведено экспериментальное исследование релаксации малосигнальной фотоэдс, вызванной действием импульса электрического поля длительностью 40 с и амплитудой от -5 B до 5В на МДП структуры n-Si-SiO2, p-Si-SiO2, n-Si-( V2O5-B2O3-CaO). Релаксация фотоэдс может быть вызвана изменением заряда в диэлектрике вследствие инжекции носителей заряда из полупроводника и полевого электрода на фронтах импульса, а также миграции заряда в диэлектрике под действием электрического поля импульса.
- A. Goetzberger, A.D. Lopez, R.J. Strain. J. Electrochem. Soc., 120, 90 (1973)
- S.K. Lai. Appl. Phys. Lett., 39, 58 (1981)
- А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
- О.В. Константинов, О.М. Мезрин. ФТП, 17, 1656 (1983)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. \it Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
- S.N. Kozlov. Phys. St. Sol. (a), 42, 115 (1977)
- В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.А. Зарифьянц. В сб.: \it Проблемы физической химии поверхности полупроводников, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1978) с. 200
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
