Исследованы спектральные зависимости интенсивности фотолюминесценции монокристаллов ZnGeP₂ p-типа проводимости, взятых после выращивания и последующей термообработки. Установлено, что в диапазоне температур 80-300 K происходит тушение длинноволновой составляющей с максимумом в интервале 1.2-1.4 эВ для разных кристаллов, в результате чего при комнатных температурах определяющей становится коротковолновая компонента фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.95 эВ. Термообработка вызывает смещение максимума длинноволновой полосы фотолюминесценции в коротковолновую сторону спектра при одновременном снижении ее ширины на полувысоте. Обнаружено, что с повышением уровня накачки длинноволновая компонента также смещается в коротковолновую область. На основании полученных данных обсуждается природа излучательных переходов в монокристаллах p-ZnGeP₂ и высказывается предположение об использовании установленных закономерностей фотолюминесценции при диагностике их качества.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.