"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинация носителей заряда на радиационных дефектах в бездислокационном n-кремнии, полученном методом зонной плавки
Казакевич Л.А.1, Лугаков П.Ф.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко, Минск, Белоруссия Белорусский аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 6 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Исследованы особенности рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах в бездислокационном n-кремнии, выращенном методом зонной плавки, обусловленные наличием в объеме кристалла ростовых нарушений, создающих деформационные напряжения. Результаты объясняются в предположении образования при облучении скоплений E-центров, что приводит к появлению потенциальных барьеров и увеличению эффективного сечения захвата неосновных носителей заряда E-центрами.
  1. К. Рейви. \it Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
  2. А.Р. Ситникова, Л.М. Сорокин, И.Е. Таланин, К.Л. Малышев, Э.Г. Шейхет, Э.С. Фалькевич. ФТТ, 28, 1829 (1986)
  3. C. Junichi. In: \it Defects and Prop. Semicond.: Def. Eng. Symp. Def. Qual. Semicond. (Tokyo, 1987), p. 143
  4. I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991)
  5. Л.А. Казакевич, П.Ф. Лугаков. ФТП, 25, 110 (1991)
  6. Л.А. Казакевич, П.Ф. Лугаков. ФТП, 26, 1142 (1992)
  7. R.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
  8. W. Shockley, W.Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
  9. Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. \it Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. (М., 1971)
  10. O.L. Curtis. J. Appl. Phys., 39, 3109 (1968)
  11. П.Ф. Лугаков, В.В. Шуша. ФТП, 13, 1739 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.