Рекомбинация носителей заряда на радиационных дефектах в бездислокационном n-кремнии, полученном методом зонной плавки
Казакевич Л.А.1, Лугаков П.Ф.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н.Севченко, Минск, Белоруссия Белорусский аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 6 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Исследованы особенности рекомбинации носителей заряда на радиационных дефектах в бездислокационном n-кремнии, выращенном методом зонной плавки, обусловленные наличием в объеме кристалла ростовых нарушений, создающих деформационные напряжения. Результаты объясняются в предположении образования при облучении скоплений E-центров, что приводит к появлению потенциальных барьеров и увеличению эффективного сечения захвата неосновных носителей заряда E-центрами.
- К. Рейви. \it Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии (М., 1984)
- А.Р. Ситникова, Л.М. Сорокин, И.Е. Таланин, К.Л. Малышев, Э.Г. Шейхет, Э.С. Фалькевич. ФТТ, 28, 1829 (1986)
- C. Junichi. In: \it Defects and Prop. Semicond.: Def. Eng. Symp. Def. Qual. Semicond. (Tokyo, 1987), p. 143
- I.I. Kolkovskii, P.F. Lugakov, V.V. Shusha. Phys. St. Sol. (a), 127, 103 (1991)
- Л.А. Казакевич, П.Ф. Лугаков. ФТП, 25, 110 (1991)
- Л.А. Казакевич, П.Ф. Лугаков. ФТП, 26, 1142 (1992)
- R.N. Hall. Phys. Rev., 87, 387 (1952)
- W. Shockley, W.Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. \it Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. (М., 1971)
- O.L. Curtis. J. Appl. Phys., 39, 3109 (1968)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Шуша. ФТП, 13, 1739 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
