Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергетические примесные состояния в легированных кадмием эпитаксиальных слоях Pb_0.8Sn_0.2Te

Водопьянов В.Н.¹, Волков В.Л.¹, Кондратенко М.М.¹, Литвинов В.И.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 11 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптическое и электрическое свойства выращенных методом горячей стенки эпитаксиальных слоев Pb_1-xSn_xTe (x~0.2), легированных примесью кадмия в количестве 0.1, 0.5 и 1 ат%. По данным оптических измерений установлено, что в запрещенной зоне имеется примесный уровень, энергия активации которого изменяется с температурой. Из теоретической обработки результатов измерения коэффициента Холла в слоях p-типа проводимости следует, что в запрещенной зоне есть уровень с глубиной залегания 0.009 эВ.

G. Nimtz, D. Schlicht. \it Narrow gap semiconductors (Berlin e.a., 1985) p. 1
Т.П. Абрютина, К.И. Гейман, В.Г. Грич, Д.М. Гуреев, Н.И. Засавицкий, А.В. Матвеенко, Б.Н. Мацонашвили, М.И. Николаев, О.В. Пелевин, А.П. Шотов. ФТП, 15, 949 (1981)
I.I. Zasavitsky, B.N. Matsonashvili, G.V. Flusov. Lett. Notes Phys., 152, N 12, 449 (1982)
А.Н. Вейс, С.А. Немов. ФТП, 13, 1661 (1979)
И.А. Драбкин, Ю.Я. Елисеева. ФТП, 8, 1947 (1974)
Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. \it Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., 1968)
А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, М.М. Кондратенко. Тез. докл. сем. "\it Энергетическая структура неметаллических кристаллов с разным типом химической связи" (Ужгород, 1991) с. 10
В.Н. Водопьянов, М.М. Кондратенко. Деп. в ВИНИТИ, 1991. N 2290--B91
А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, Р.Ю. Крупицкая, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 14, 2349 (1980)
Ю. Каган, К.А. Кикоин. Письма ЖЭТФ, 31, 367 (1980)
В.И. Литвинов, К.Д. Товстюк. ФТТ, 24, 896 (1982)
Б.А. Волков, О.А. Панкратов. ДАН СССР, 255, 93 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель