"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs в GaAs
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1, Цацульников А.Ф.1, Алферов Ж.И.1, Федоров Д.Л.2, Бимберг Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 16 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Исследована фотолюминесценция напряженных квантовых точек InAs, созданных in situ в матрице GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что положение линии люминесценции сдвигается в сторону меньших энергий с увеличением эффективной толщины InAs от 1.7 до примерно 2.7 монослоя и остается практически неизменным при дальнейшем осаждении InAs. Несмотря на эффект насыщения зависимости длины волны излучения от количества осажденного InAs, при комнатной температуре достигнуто излучение с длиной волны 1.24 мкм в квантово-размерных гетероструктурах на подложках GaAs. Интегральная интенсивность фотолюминесценции закономерно возрастает в диапазоне толщин 1.7/3 монослоя InAs, после чего наблюдается участок спада интенсивности. Полученные зависимости объясняются в рамках предложенной модели, согласно которой оптический диапазон излучения напряженных квантовых точек с длинноволновой стороны ограничен излучением из точек, размеры которых близки к критическим.
  1. S.L. Yellen, R.G. Waters, P.K. York, K.J. Beernink, J.J. Coleman. Electron. Lett., 27, 552 (1991)
  2. D. Saito, H. Yonezu, T. Kawai, M. Yokozeki, K. Pak. Japan. J. Appl. Phys., 33, L1205 (1994)
  3. P. Ribas, V. Krishnamoorthy, R.M. Park. Appl. Phys. Lett., 57, 1040 (1990)
  4. P.M. Petroff, S.P. Den Baars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
  5. A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, V.M. Ustinov. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept. 2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 385
  6. K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, S. Yamazaki. J. Appl. Phys., 33, L1710 (1994)
  7. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  8. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zn.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  9. Q. Xie, P. Chen, A. Kalburge, A. Nayfonov, T.R. Ramachandran, A. Konkar, A. Madhukar. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 383
  10. J.-M. Gerard, J.-B. Jean, J. Lefebvre, J.M. Moison, N. Lebouche, F. Barthe. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 381
  11. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
  12. A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, V.M. Ustinov. Semicond., 28, 363 (1994)
  13. H. Kitabayashi, T. Waho. \it Workbook of 8th Int. Conf. on MBE, Aug.29--Sept.2, 1994 (Osaka, Japan, 1994) p. 415
  14. D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys., 66, 1739 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.