"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследования методом DLTS эволюции кислородных преципитатов, сформированных в Si, при высокой температуре и высоком давлении
Антонова И.В.1, Мисюк А.1, Попов В.П.1, Федина Л.И.1, Шаймеев С.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 27 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Методом DLTS исследовано влияние высокого гидростатического давления на процессы растворения предварительно введенных в Si кислородных преципитатов при температуре 920/ 1000 K (в течение 96 ч). Предложена методика измерений, основанная на формировании электрически активных комплексов (межузельный атом кислорода--вакансия) при облучении образцов электронами. Показано, что введение точечных дефектов при комнатной температуре не приводит к распаду преципитатов. С увеличением температуры обработки (до 1220/ 1650 K) при одних и тех же значениях гидростатического давления (до 1.3 ГПа) возрастает интенсивность распада кислородных преципитатов, а при 1650 K происходит их полное растворение. Исследование кинетики распада показало, что гидростатическое давление повышает предел растворимости атомов кислорода Oi и замедляет процесс их диффузионного разбегания. Установлено, что энергия активации диффузии Ea, так же как и предэкспоненциальный множитель D0, в выражении для коэффициента диффузии уменьшаются с ростом гидростатического давления, приводя в результате к уменьшению коэффициента диффузии. Обсуждаются возможные механизмы влияния гидростатического давления на процессы диффузии кислорода в окрестности преципитата.
  1. C. Claeys, I. Vanhellemont. Sol. St. Phenomena, 6--7, 21 (1989)
  2. K. Sueoka, N. Ikeda, T. Yamamoto, S. Kobayashi. J. Appl. Phys., 79, 5437 (1993)
  3. R. Boushart, J.R. Schneider, S. Gupta, S. Messoloras, R.J. Stewart, Y. Nagasawa, W. Zulehner. J. Appl. Phys., 77, 553 (1995)
  4. J. Jung. Phil. Mag. A, 50, 257 (1984)
  5. C.A.J. Ammerlaan, H.H. Bekman, T. Gregorkiewicz. In: \it Defects in crystals, ed. by E. Mizeza (World Scientific, 1988) p. 239
  6. A. Misiuk. Sol. St. Phenomena, 19--20, 387 (1991)
  7. A. Misiuk, J. Adamczewska, J. Bak-Misiuk, J. Wolf. Sol. St. Phenomena, 32--33, 167 (1993)
  8. W. Wijaranakula. J. Appl. Phys., 73, 1004 (1993)
  9. W.J. Taylor, U. Gossele, T.Y. Tan. J. Appl. Phys., 72, 2192 (1992)
  10. S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Phys., 77, 1427 (1995)
  11. V.I. Fistul. \it Decomposition of the supersaturated solid solution in semiconductors (Moscow, 1977)
  12. P. Deark, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. Lett., 66, 747 (1991)
  13. R.C. Newman, M. Clayburn. Inst. Phys. Conf., 95, 211 (1989)
  14. M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42, 73 (1983)
  15. Б.Н. Романюк, В.Г. Попов, В.Г. Литовченко, А. Мисиук, А.А. Евтух, Н.И. Клюй, В.П. Мельник. ФТП, 29, 166 (1995)
  16. I.V. Antonova, S.S. Shaimeev. Sov. Phys. Semicond., 25, 1519 (1991)
  17. I.V. Antonova, V.A. Vasiliev, V.I. Panov, S.S. Shaimeev. Sov. Phys. Semicond., 22, 998 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.