"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Токи отдельных лавин в области пространственного заряда p-n-перехода
Добровольский В.Н.1, Сырых А.Д.1
1Киевский университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Известное ранее для микроплазм прохождение отдельных электронно-дырочных лавин в начале пробоя p-n-перехода наблюдалось в планарно-однородных переходах большой площади. Из полученных результатов сделан вывод о локализации перед началом пробоя тока ударной ионизации, возникновении лавин именно в канале протекания этого тока, оценены размеры лавин и объяснено уменьшение тока ударной ионизации после прохождения каждой лавины с достаточно большим временем существования.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. \it Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. С. Зи. \it Физика полупроводниковый приборов (М., 1984) кн. 1
  3. З.С. Грибников. ФТП, 11, 2111 (1977)
  4. Р.В. Конакова, П. Кордош, Ю.А. Тхорик, В.И. Файнберг, Ф. Штофаник. \it Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов (Киев, Наук. думка, 1986)
  5. В.Н. Добровольский, А.В. Романов. ФТП, 26, 1361 (1992)
  6. В.Н. Добровольский, С.Б. Грязнов. ФТП, 26, 1366 (1992)
  7. В.Н. Добровольский, И.Е. Пальцев, А.В. Романов. ФТП, (предполагается опубликовать)
  8. В.Н. Добровольский, А.В. Романов, С.Б. Грязнов. ФТП, 29, 1453 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.