"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальные электронные состояния в полупроводниковых квантовых ямах
Пахомов А.А.1, Халипов К.В.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

В рамках модели потенциала нулевого радиуса рассмотрены локальные состояния, наводимые дефектами, лежащими внутри квантовых ям. Получено аналитическое решение для волновой функции локализованного носителя, вычислена энергия локального состояния при различном положении дефекта в яме и найдена ее зависимость от параметров ямы и характеристики потенциала. Показано, что для дефекта в яме локализованное состояние существует и в том случае, когда мощность потенциала не достаточна для образования локализованного состояния в объемном материале. Полученные результаты могут быть непосредственно использованы для описания двумерных D--состояний, т.е. электронных состояний, соответствующих присоединению дополнительного электрона к мелкому донору, а также локальных состояний, наводимых изоэлектронными примесями или квантовыми точками предельно малого размера в квантовых слоях.
  1. S. Huant. S.P. Najda. Phys. Rev. Lett. 65, 1486 (1990)
  2. T. Pang, S.C. Louie. Phys. Rev. Lett. 65, 1635 (1990)
  3. G. Bastard. Phys. Rev. B, 24, 4714 (1981)
  4. R.L. Greene, P. Lane. Phys. Rev. B, 34, 8639 (1986)
  5. D.M. Larsen, S.Y. McCaun. Phys. Rev. B, 46, 3966 (1992)
  6. A.B. Dryubenko, A. Mandray, S. Huant, A.Yu. Sivachenko, B. Etienne. Phys. Rev. B, 50, 4687 (1994)
  7. Э.Д. Имамов, В.Д. Кревчик. ФТП, 17, 1235 (1983)
  8. Л.Д. Ландау, И.М. Лифшиц. \it Квантовая механика (М., Наука, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.