В рамках модели потенциала нулевого радиуса рассмотрены локальные состояния, наводимые дефектами, лежащими внутри квантовых ям. Получено аналитическое решение для волновой функции локализованного носителя, вычислена энергия локального состояния при различном положении дефекта в яме и найдена ее зависимость от параметров ямы и характеристики потенциала. Показано, что для дефекта в яме локализованное состояние существует и в том случае, когда мощность потенциала не достаточна для образования локализованного состояния в объемном материале. Полученные результаты могут быть непосредственно использованы для описания двумерных D^--состояний, т.е. электронных состояний, соответствующих присоединению дополнительного электрона к мелкому донору, а также локальных состояний, наводимых изоэлектронными примесями или квантовыми точками предельно малого размера в квантовых слоях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.