"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотовозбуждение мелкого акцептора в p-InSb
Гуцуляк Л.М.1, Иванов-Омский В.И.1, Цыпишка Д.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Методом фотоэлектрической спектроскопии в магнитном поле исследовались образцы p-InSb, легированные кадмием (уровень легирования Na-Nd=7·1012 см-3). В спектрах наблюдаются линии, связанные с переходами из основного состояния 1S3/2Gamma8 мелкого акцептора в его возбужденные состояния, образующиеся под уровнями Ландау легких дырок, а также в состояния 2P5/2Gamma7, 3P3/2Gamma8, 3P5/2Gamma8 и 3P5/2Gamma7. В результате анализа экспериментальных результатов получена диаграмма зеемановских подуровней этих состояний в магнитном поле.
  1. A. Baldereschi, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973)
  2. J. Broeckx, P. Clauws. Sol. St. Commun., 28, 355 (1978)
  3. N.O. Lipari, M. Altarelli. Sol. St. Commun., 33, 47 (1980)
  4. W.O.G. Schmitt, E. Bangert, G. Landwehr. J. Phys.: Condens. Matter., 3, 6789 (1991)
  5. В.Н. Мурзин, А.И. Демешина, Л.М. Умаров. ФТП, 6, 488 (1972)
  6. R. Kaplan. Sol. St. Commun., 12, 191 (1973)
  7. C.L. Littler, D.G. Seiler, R. Kaplan, R.I. Wagner. Phys. Rev. B, 27, 7473 (1983)
  8. R. Meisels, F. Kuchar. Phys. St. Sol. (b), 116, 557 (1983)
  9. В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, Ш.У. Юлдашев, О.А. Гадаев, Р.А. Страдлинг, И. Фергюсон. ФТП, 26, 413 (1992)
  10. P.J. Lin-Chung, B.W. Henvis. Phys. Rev. B, 12, 630 (1975)
  11. C.R. Pidgeon, R.N. Brown. Phys. Rev., 146, 575 (1966)
  12. A.K. Bhattacharjee, S. Rodrigues. Phys. Rev. B, 6, 3836 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.