"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфида галлия
Зотеев А.В.1, Кашкаров П.К.1, Образцов А.Н.1, Тимошенко В.Ю.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.

Изучены закономерности формирования пористого фосфида галлия (por-GaP) при электрохимической реакции анодирования в растворе на основе плавиковой кислоты. Данные растровой электронной микроскопии свидетельствуют о макропористом характере структуры por-GaP. Исследованы спектры рамановского рассеяния света и фотолюминесценции в зависимости от плотности тока анодирования. Обнаружено усиление краевой люминесценции и рамановского рассеяния, а также изменение фононного спектра в por-GaP, которые связываются с эффектами пространственного ограничения в субмикронных элементах пористой структуры.
  1. K.H. Jung, S. Shih, D.L. Kwong. J. Electrochem. Soc., 140, 346 (1993)
  2. С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач, А.М. Евстигнеев, Э.Б. Каганович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 27, 3 (1994)
  3. А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994)
  4. R.L. Smith, S.D. Collins. J. Appl. Phys., 71, R1 (1992)
  5. L.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  6. S. Hayash, H. Kanamori. Phys. Rev. B, 26, 7079 (1982)
  7. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. \it Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.