"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре
Шулекин А.Ф.1, Тягинов С.Э.1, Khlil R.2, El Hdiy A.2, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2LASSI/DTI, CNRS-UMR, UFR Sciences BP,, Reims cedex 2, France
Поступила в редакцию: 10 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si с туннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. В процессе стресса при постоянном напряжении, наряду с увеличением тока, связанным с мягким пробоем, в некоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован в достаточно малой области.
  1. SEMATECH. The international technology roadmap for semiconductors. http://public.itrs.net/home.htm (2001)
  2. B. Yuwono, T. Schloesser, A. Gschwandtner, G. Innertsberger, A. Grassl, A. Olbrich, W.H. Krautschneider. Microelectron. Eng., 48, 51 (1999)
  3. R. Degraeve. Reliability of Ultra-Thin Oxide Gate Dielectrics, 9th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (Tutorial), (Leuven, IMEC, 1998)
  4. M. Depas, T. Nigam, M.M. Heyns. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43 (9), 1499 (1996)
  5. F. Crupi, R. Degraeve, G. Groeseneken, T. Nigam, H.E. Maes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (11), 2329 (1996)
  6. E. Miranda, J. Sune, R. Rodiguez, M. Nafria, X. Aymerich. Jap. J. Appl. Phys., 38 (1), 80 (1999)
  7. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, гл. 9
  8. M.I. Vexler, A.F. Shulekin, Ch. Dieker, V. Zaporojtschenko, H. Zimmermann, W. Jaeger, I.V. Grekhov, P. Seegebrecht. Sol. St. Electron., 45 (1), 19 (2001)
  9. H.S. Momose, S. Nakamura, T. Ohguro, T. Yoshitomi, E. Morifuji, T. Morimoto, Y. Katsumata, H. Iwai. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-45 (3), 691 (1998)
  10. J.P. Shiely. Simulations of tunneling in MOS devices (Duke University, 1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.